[发明专利]图像传感器及包括其的电子装置在审
申请号: | 201711346652.0 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN108242449A | 公开(公告)日: | 2018-07-03 |
发明(设计)人: | 李志源;赵鼎镇;林茂燮;徐圣永;李海源 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 共用像素 图像传感器 电子装置 像素区域 光电二极管 浮置扩散 晶体管组 相邻布置 源极区域 晶体管 | ||
本公开涉及图像传感器及包括其的电子装置。一种图像传感器包括:包含共用像素的像素区域,其中共用像素的每个包括组成组并共用浮置扩散(FD)区域的至少两个光电二极管;以及与像素区域相邻的晶体管(TR)区域,其中TR区域包括对应于共用像素的晶体管组,其中,当第一共用像素和第二共用像素在第一方向上彼此相邻布置时,对应于第一共用像素的第一TR组和对应于第二共用像素的第二TR组共用第一选择TR的源极区域。
技术领域
本发明构思涉及图像传感器,更具体地,涉及具有共用像素结构的图像传感器及包括该图像传感器的电子装置。
背景技术
图像传感器检测并传递构成图像的信息。图像传感器包括布置成二维阵列的多个单元像素。例如,所述多个单元像素中的每个包括一个光电二极管和多个像素晶体管。所述多个像素晶体管可以包括传输晶体管、复位晶体管、源极跟随器晶体管和选择晶体管。随着像素尺寸减小,在图像传感器中已经采用了共用像素结构以增加光电二极管的面积。在共用像素结构中,像素晶体管由多个像素共用。例如,若干像素共用像素晶体管,因此,每单元像素的像素晶体管的数量减少并且光电二极管的面积增加。
发明内容
根据本发明构思的一示例性实施方式,提供一种图像传感器,其包括:包括共用像素的像素区域,其中共用像素的每个包括形成组并共用浮置扩散(FD)区域的至少两个光电二极管;以及与像素区域相邻的晶体管(TR)区域,其中TR区域包括对应于共用像素的晶体管组,其中,当第一共用像素和第二共用像素在第一方向上彼此相邻布置时,对应于第一共用像素的第一TR组和对应于第二共用像素的第二TR组共用第一选择TR的源极区域。
根据本发明构思的一示例性实施方式,提供一种图像传感器,其包括:第一共用像素,其包括共用第一浮置扩散(FD)区域的四个光电二极管;第二共用像素,其在第一方向上与第一共用像素相邻设置并且包括共用第二FD区域的四个光电二极管;第一晶体管(TR)组,其与第一共用像素相邻设置并且包括沿第一方向顺序布置的第一复位TR、第一源极跟随器TR和第一选择TR;以及第二TR组,其与第二共用像素相邻设置并且包括沿第一方向顺序布置的第二选择TR、第二源极跟随器TR和第二复位TR,其中第一选择TR和第二选择TR共用源极区域。
根据本发明构思的一示例性实施方式,提供一种图像传感器,其包括:第一共用像素,其包括共用浮置扩散(FD)区域的八个光电二极管,该八个光电二极管形成四个光电二极管对,所述光电二极管对中的每个包括沿第一方向排列的两个相邻光电二极管;以及第一晶体管(TR)组,其与第一共用像素相邻设置并且包括沿交叉第一方向的第二方向顺序布置的顶选择TR、顶源极跟随器TR、顶复位TR、底复位TR、底源极跟随器TR和底选择TR,其中第一TR组关于由顶复位TR和底复位TR共用的等效FD区域具有镜像对称结构。
根据本发明构思的一示例性实施方式,提供一种图像传感器,其包括:像素单元,其包括像素区域和晶体管(TR)区域,像素区域包括布置成二维阵列的共用像素,所述共用像素每个包括形成组并共用浮置扩散(FD)区域的至少两个光电二极管,TR区域包括与共用像素相邻且对应于共用像素的晶体管组;以及设置在像素单元周围的外围电路,其中,当第一共用像素和第二共用像素沿第一方向彼此相邻设置时,第一TR组对应于第一共用像素,并且第二TR组对应于第二共用像素,以及第一TR组的选择TR和第二TR组的选择TR共用源极区域。
根据本发明构思的一示例性实施方式,提供一种电子装置,其包括:光学系统;图像传感器;以及信号处理器电路,其中图像传感器包括包含像素区域和晶体管(TR)区域的像素单元,以及设置在像素单元周围的外围电路,包括形成组并共用浮置扩散(FD)区域的至少两个光电二极管的共用像素按照二维阵列布置在像素区域中,并且对应于共用像素的每个的TR组被设置在TR区域中,并且两个相邻TR组的选择TR共用源极区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的