[发明专利]电子电路

权利要求书

1.一种电子电路，包括：

具有预定导电类型的第一晶体管器件；和

具有所述预定导电类型的第二晶体管器件，

其中，所述第一晶体管器件被集成在第一半导体本体中，并且包括在所述第一半导体本体的第一表面处的第一负载焊盘和在所述第一半导体本体的第二表面处的第二负载焊盘，

其中，所述第二晶体管器件被集成在第二半导体本体中，并且包括在所述第二半导体本体的第一表面处的第一负载焊盘、在所述第二半导体本体的第二表面处的第二负载焊盘以及在所述第二半导体本体的所述第一表面处的控制焊盘，

其中，所述第二晶体管器件的第一负载焊盘被安装在所述第一晶体管器件的第一负载焊盘之上，

其中，所述第一晶体管器件的第二负载焊盘被安装在导电载体之上，

其中，所述第一晶体管器件的第一负载焊盘连接至所述第一晶体管器件的第一负载节点，

其中，所述第二晶体管器件的第一负载焊盘连接至所述第二晶体管器件的第一负载节点，以及

其中，所述第一晶体管器件还包括控制焊盘，并且所述第二晶体管器件的控制焊盘被安装在：

所述第一晶体管器件的控制焊盘之上，或者

所述第一晶体管器件的第一负载焊盘之上，使得所述第一晶体管器件的第一负载焊盘将所述第二晶体管器件的控制焊盘和所述第二晶体管器件的第一负载焊盘电连接。

2.根据权利要求1所述的电子电路，

其中，所述第一晶体管器件是金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET并且所述第二晶体管器件是MOSFET，以及

其中，所述第一晶体管器件的第一负载节点和所述第二晶体管器件的第一负载节点是源极节点和漏极节点中的一个。

3.根据权利要求1所述的电子电路，其中，所述第一晶体管器件的控制焊盘位于所述第一半导体本体的第一表面处。

4.根据权利要求1所述的电子电路，

其中，在所述第二晶体管器件的控制焊盘被安装在所述第一晶体管器件的第一负载焊盘之上的情况下，所述第一晶体管器件的控制焊盘位于所述第一半导体本体的第二表面处，以及

其中，所述第一晶体管器件的控制焊盘连接至导电腿。

5.根据权利要求1所述的电子电路，其中，所述预定导电类型是n型和p型中的一种。

6.根据权利要求1所述的电子电路，其中，所述电子电路还包括驱动电路，所述驱动电路被配置成，在所述第二晶体管器件的控制焊盘被安装在所述第一晶体管器件的第一负载焊盘之上的情况下，在所述第一晶体管器件的控制焊盘与所述第一晶体管器件的第一负载焊盘之间生成第一驱动信号。

7.根据权利要求6所述的电子电路，其中，所述驱动电路还被配置成，接收输入信号并且基于所述输入信号来生成所述第一驱动信号。

8.根据权利要求6所述的电子电路，其中，所述驱动电路还被配置成在所述第二晶体管器件的控制焊盘与所述第二晶体管器件的第一负载焊盘之间生成第二驱动信号。

9.根据权利要求8所述的电子电路，其中，所述驱动电路还被配置成接收电源电压，并且取决于所述电源电压的极性而生成所述第二驱动信号。

10.根据权利要求9所述的电子电路，

其中，所述驱动电路被配置成生成所述第二驱动信号，使得如果所述电源电压具有第一极性，则所述第二晶体管器件导通，以及

其中，所述驱动电路被配置成生成所述第二驱动信号，使得如果所述电源电压具有与所述第一极性相反的第二极性，则所述第二晶体管器件关断。

11.根据权利要求6所述的电子电路，

其中，所述驱动电路被集成在第三半导体本体中，以及

其中，所述第三半导体本体被安装在所述第一半导体本体的第一表面上。