[发明专利]电子电路

说明书

一种电子电路包括具有相同导电类型的第一晶体管器件和第二晶体管器件。第一晶体管器件被集成在第一半导体本体中，并且包括在第一半导体本体的第一表面处的第一负载焊盘和在第一半导体本体的第二表面处的第二负载焊盘。第二晶体管器件被集成在第二半导体本体中，并且包括在第二半导体本体的第一表面处的第一负载焊盘和在第二半导体本体的第二表面处的第二负载焊盘。第二晶体管器件的第一负载焊盘被安装至第一晶体管器件的第一负载焊盘，并且第一晶体管器件的第二负载焊盘被安装至导电载体。

技术领域

本公开总体上涉及电子电路，特别是电子开关和反向极性保护电路。

背景技术

诸如MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)的场效应控制型晶体管器件被广泛用作不同类型应用(例如机动车辆、工业、家庭或消费者电子应用)中的电子开关。MOSFET是电压控制型器件，其包括控制节点和两个负载节点之间的负载路径，并且取决于在控制节点与负载节点之一之间接收到的驱动电压而导通或关断。通常，控制节点称为栅极节点，负载节点分别称为漏极节点和源极节点，并且控制MOSFET的电压称为栅极-源极电压。MOSFET通常在两个负载节点之间包括内部二极管(通常称为体二极管)。由于这个二极管，仅当施加在负载节点之间的负载路径电压具有使内部二极管反向偏置的极性时，才可以通过驱动电压来导通和关断MOSFET。如果负载路径电压使内部二极管正向偏置，则MOSFET传导电流而与驱动电压无关。

需要提供一种集成电路，该集成电路能够取决于驱动电压且与负载路径电压的极性无关地进行关断。

发明内容

一个实施例涉及一种电子电路。该电子电路包括具有相同导电类型的第一晶体管器件和第二晶体管器件。第一晶体管器件被集成在第一半导体本体中，并且包括在第一半导体本体的第一表面处的第一负载焊盘(pad)和在第一半导体本体的第二表面处的第二负载焊盘。第二晶体管器件被集成在第二半导体本体中，并且包括在第二半导体本体的第一表面处的第一负载焊盘和在第二表面处的第二负载焊盘。第二晶体管器件的第一负载焊盘被安装至第一晶体管器件的第一负载焊盘，并且第一晶体管器件的第二负载焊盘被安装至导电载体(carrier)。此外，第一晶体管器件的第一负载焊盘连接至第一晶体管器件的第一负载节点，并且第二晶体管器件的第一负载焊盘连接至第二晶体管器件的第一负载节点。

附图说明

下面参考附图来说明示例。附图用于说明某些原理，因此仅示出了理解这些原理所必需的方面。附图没有按比例绘制。在附图中，相同的附图标记表示相似的特征。

图1示出了具有第一晶体管器件和第二晶体管器件的电子电路的电路图；

图2示出了如何可以实现第一晶体管器件和第二晶体管器件的一个示例；

图3示出了如何可以实现第一晶体管器件和第二晶体管器件的另一示例；

图4A和图4B分别示出了包括图1所示的电子电路的示例半导体芯片布置的顶视图和垂直截面图；

图5A和图5B示出了如何可以实现图4A所示的连接线的不同示例；

图6示出了图4A和图4B所示的半导体芯片布置的修改；

图7A和图7B分别示出了包括图1所示的电子电路的示例半导体芯片布置的顶视图和垂直截面图；

图8示出了具有第一晶体管器件和第二晶体管器件的另一电子电路的电路图；

图9示出了包括图8所示的电子电路的半导体芯片布置的顶视图；

图10A和图10B分别示出了包括图8所示的电子电路的示例半导体芯片布置的顶视图和垂直截面图；

图11示出了根据一个示例的第二晶体管器件的垂直截面图；

图12示出了具有第一晶体管器件、第二晶体管器件和驱动电路的电子电路的电路图；