[发明专利]一种化学溶液和形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

形成三层，所述三层包括:

底层，其中，所述底层由交联的材料形成；

第一中间层，位于所述底层上方；以及

第一顶层，位于所述第一中间层上方，其中，所述第一顶层包括光刻胶；

使用第一光刻掩模曝光所述第一顶层；

在所述曝光之后，去除所述第一顶层；

使用化学溶液去除所述第一中间层，其中，所述化学溶液不含氢氧化钾(KOH)，并且包括季铵碱和氟代季铵盐中的至少一种；

在去除所述第一顶层和所述第一中间层之后，直接在剩余的交联的所述底层上方形成第二中间层；

在所述第二中间层上方形成第二顶层，其中，所述第二顶层包括额外的光刻胶；以及

使用与所述第一光刻掩模具有相同图案的第二光刻掩模在所述第二顶层上执行曝光工艺。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述第二中间层之前去除所述第一顶层和所述第一中间层的整体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述化学溶液还包括有机溶剂和水。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述有机溶剂包括乙二醇。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在去除所述第一中间层时，所述第一中间层相对所述底层的蚀刻选择性大于100，其中，所述蚀刻选择性为所述第一中间层的蚀刻速率与所述底层的蚀刻速率的比。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在去除所述第一顶层之前和曝光所述第一顶层之后，对所述第一顶层实施显影。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述化学溶液包括季铵碱和氟代季铵盐。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述季铵碱包括四甲基氢氧化铵(TMAH)，所述氟代季铵盐包括四甲基氟化铵(TMAF)，并且所述四甲基氢氧化铵的重量百分比与所述四甲基氟化铵的重量百分比的比率为1：3。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述化学溶液还不含NaOH、NH₄OH和HF。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

在底层上方形成第一中间层，其中，所述第一中间层包括硅氧烷，所述底层由交联的材料形成；

在所述第一中间层上方形成第一顶层，其中，所述第一顶层包括第一光刻胶；

在所述第一顶层上实施第一曝光工艺和第一显影工艺，其中，所述第一曝光工艺使用第一光刻掩模；

在所述第一曝光工艺和所述第一显影工艺之后，去除所述第一顶层和所述第一中间层的整体，其中，在去除所述第一中间层之后，所述底层保留为毯式层，并且使用化学溶液去除所述第一中间层，其中，所述化学溶液包括：

季铵碱；

氟代季铵盐；

有机溶剂；以及

水；

在去除所述第一顶层和所述第一中间层之后，在所述底层上方形成第二中间层；

在所述第二中间层上方形成第二顶层；以及

使用与所述第一光刻掩模具有相同图案的第二光刻掩模在所述第二顶层上执行第二曝光工艺和第二显影工艺。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在蚀刻所述第一中间层之后，在所述底层上方形成包括硅氧烷的第二中间层；以及

使用所述第二顶层作为蚀刻掩模来图案化所述第二中间层。

12.根据权利要求10所述的方法，在去除所述第一中间层之后，保留整个所述底层。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述有机溶剂配置为使硅烷醇稳定。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述有机溶剂包括乙二醇。