[发明专利]一种化学溶液和形成半导体器件的方法

说明书

一种方法包括形成三层。三层包括底层；位于底层上方的中间层；以及位于中间层上方的顶层。顶层包括光刻胶。该方法还包括去除顶层；并使用化学溶液去除中间层。该化学溶液不含氢氧化钾(KOH)，并且包括季铵碱和氟代季铵盐中的至少一种。本发明实施例涉及一种化学溶液和形成半导体器件的方法。

技术领域

本发明实施例涉及一种化学溶液和形成半导体器件的方法。

背景技术

在集成电路的形成中，需要图案化集成电路器件的组件以形成期望的形状。典型的图案化工艺包括光刻工艺，其中，该光刻工艺包括将光刻胶涂覆在将要被图案化的目标层上方，使用光刻掩模曝光光刻胶，显影光刻胶，并使用显影的光刻胶作为蚀刻掩模以蚀刻目标层。结果，将显影的光刻胶的布局转印至下面的层。然后去除光刻胶。

在一些情况下，在图案化光刻胶之后，可以发现图案化的光刻胶具有缺陷。因此，去除这种图案化的光刻胶，并且再次应用和图案化新的光刻胶。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：形成三层，所述三层包括:底层；第一中间层，位于所述底层上方；以及第一顶层，位于所述第一中间层上方，其中，所述第一顶层包括光刻胶；去除所述第一顶层；以及使用化学溶液去除所述第一中间层，其中，所述化学溶液不含氢氧化钾(KOH)，并且包括季铵碱和氟代季铵盐中的至少一种。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在所述底层上方形成第一中间层，其中，所述第一中间层包括硅氧烷；以及蚀刻所述第一中间层，其中，在蚀刻所述第一中间层之后，所述底层保留为毯式层，并且使用化学溶液在湿蚀刻工艺中实施蚀刻所述第一中间层，其中，所述化学溶液包括：季铵碱；氟代季铵盐；有机溶剂；以及水。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种化学溶液，包括：季铵碱和氟代季铵盐中的至少一种；有机溶剂；以及水，其中，所述化学溶液不含氢氧化钾(KOH)。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1至图11示出根据一些实施例的形成金属线和通孔的中间阶段的截面图。

图12示出根据一些实施例的硅氧烷的图。

图13示出根据一些实施例的解离的四甲基氢氧化铵(TMAH)。

图14示出根据一些实施例的解离的胆碱氢氧化物。

图15示出根据一些实施例的TMAH的示例性硅氧烷水解。

图16示出根据一些实施例的中间层的蚀刻速率与化学溶液的温度的函数。

图17示出根据一些实施例的解离的四甲基氟化铵(TMAF)。

图18示出根据一些实施方例的解离的四氟硼酸四丁基铵。

图19示出根据一些实施例的TMAF与硅氧烷反应的示例性工艺。

图20示出根据一些实施例的示例性中间层的部分的图。

图21示出根据一些实施例的工艺流程。

具体实施方式