[发明专利]一种硅片的清洗方法

权利要求书

1.一种硅片的清洗方法，其特征在于，包括：

将待清洗的半导体硅片放置在臭氧水中进行第一次水洗，在所述半导体硅片表面形成氧化膜；

将所述半导体硅片放置在预热后的氢氟酸溶液中进行第一次酸洗，以对所述氧化膜进行去除，其中，所述氢氟酸溶液中水与氢氟酸的比例取值范围为20:1-10:1，包括端点值；所述预热后的氢氟酸溶液的温度为40℃-80℃，包括端点值；

将所述半导体硅片放入去离子水中，进行第二次水洗，以对位于所述半导体硅片表面的氢氟酸溶液进行清洗；

将所述半导体硅片放入氢氟酸和盐酸的混合溶液中，进行第二次酸洗，以对所述半导体硅片表面的金属离子进行去除；

将所述半导体硅片放入去离子水中，进行第三次水洗。

2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述将待清洗的半导体硅片放置在臭氧水中进行第一次水洗，在所述半导体硅片表面形成氧化膜包括：

将待清洗的半导体硅片放置在臭氧水中，静置第一时间，在所述半导体硅片表面形成氧化膜，其中，所述第一时间的取值范围为2分钟-10分钟，包括端点值。

3.根据权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述第一时间的取值范围为1分钟-5分钟，包括端点值。

4.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述将所述半导体硅片放置在预热后的氢氟酸溶液中进行第一次酸洗，以对所述氧化膜进行去除包括：

将所述半导体硅片放置在预热后的氢氟酸溶液中，静置第二时间，进行第一次酸洗，其中，所述第二时间的取值范围为0.5分钟-3分钟，包括端点值。

5.根据权利要求1或4所述的清洗方法，其特征在于，所述预热后的氢氟酸溶液的获得方法包括：对提前配置好的第一浓度的氢氟酸溶液进行预热，使其达到第一温度，其中，所述第一浓度的氢氟酸溶液中水与氢氟酸的比例取值范围为20:1-10:1，包括端点值；所述第一温度的取值范围为40℃-80℃，包括端点值。

6.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述将所述半导体硅片放入去离子水中，进行第二次水洗包括：

将所述半导体硅片放入去离子水中，静置第三时间，进行第二次水洗，其中，所述第三时间的取值范围为2分钟-5分钟。

7.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述将所述半导体硅片放入氢氟酸和盐酸的混合溶液中，进行第二次酸洗包括：

将所述半导体硅片放入氢氟酸和盐酸的混合溶液中，静置第四时间，进行第二次酸洗，其中，所述第四时间的取值范围为1分钟-3分钟，包括端点值。

8.根据权利要求6所述的清洗方法，其特征在于，所述氢氟酸和盐酸的混合溶液中盐酸的质量分数取值范围为10％-15％，包括端点值；氢氟酸的质量分数为7％-12％，包括端点值。

9.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，该方法还包括：

对清洗完成的半导体硅片进行干燥。