[发明专利]一种硅片的清洗方法

说明书

本发明实施例公开了一种硅片的清洗方法，包括：将待清洗的硅片放置在臭氧水中进行第一次水洗，在硅片表面形成氧化膜；将硅片放置在预热后的氢氟酸溶液中进行第一次酸洗，以对氧化膜进行去除，氢氟酸溶液中水与氢氟酸的比例取值范围为20:1‑10:1，包括端点值；预热后的氢氟酸溶液的温度为40℃‑80℃，包括端点值；将硅片放入去离子水中，进行第二次水洗，以对位于硅片表面的氢氟酸溶液进行清洗；将硅片放入氢氟酸和盐酸的混合溶液中，进行第二次酸洗，以对硅片表面的金属离子进行去除；将硅片放入去离子水中，进行第三次水洗。该方法可在去除硅片表面沾污的杂质的基础上达到节省氢氟酸的目的。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种硅片的清洗方法。

背景技术

常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能无疑是一种清洁、普遍和潜力高的替代能源。太阳能电池，也称光伏电池，是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品，不会引起环境污染，而且太阳能是可再生资源，所以在当今能源短缺的情形下，太阳能电池是一种有广阔发展前途的新型能源，并受到了广泛的关注。

太阳能电池所使用的基底材料主要为硅片，硅片制结前表面的性质和状态会强烈的影响结特性。因此，现有硅片表面可能留有的一些沾污的杂质，如油脂、松香、蜡等有机物质，金属离子及各种无机化合物，尘埃以及其他可溶性物质，会影响制成的太阳能电池的性能。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种硅片的清洗方法，以去除硅片表面沾污的杂质。

为解决上述问题，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种硅片的清洗方法，包括：

将待清洗的半导体硅片放置在臭氧水中进行第一次水洗，在所述半导体硅片表面形成氧化膜；

将所述半导体硅片放置在预热后的氢氟酸溶液中进行第一次酸洗，以对所述氧化膜进行去除，其中，所述氢氟酸溶液中水与氢氟酸的比例取值范围为20:1-10:1，包括端点值；所述预热后的氢氟酸溶液的温度为40℃-80℃，包括端点值；

将所述半导体硅片放入去离子水中，进行第二次水洗，以对位于所述半导体硅片表面的氢氟酸溶液进行清洗；

将所述半导体硅片放入氢氟酸和盐酸的混合溶液中，进行第二次酸洗，以对所述半导体硅片表面的金属离子进行去除；

将所述半导体硅片放入去离子水中，进行第三次水洗。

可选的，所述将待清洗的半导体硅片放置在臭氧水中进行第一次水洗，在所述半导体硅片表面形成氧化膜包括：

将待清洗的半导体硅片放置在臭氧水中，静置第一时间，在所述半导体硅片表面形成氧化膜，其中，所述第一时间的取值范围为2分钟-10分钟，包括端点值。

可选的，所述第一时间的取值范围为1分钟-5分钟，包括端点值。

可选的，所述将所述半导体硅片放置在预热后的氢氟酸溶液中进行第一次酸洗，以对所述氧化膜进行去除包括：

将所述半导体硅片放置在预热后的氢氟酸溶液中，静置第二时间，进行第一次酸洗，其中，所述第二时间的取值范围为0.5分钟-3分钟，包括端点值。

可选的，所述预热后的氢氟酸溶液的获得方法包括：对提前配置好的第一浓度的氢氟酸溶液进行预热，使其达到第一温度，其中，所述第一浓度的氢氟酸溶液中水与氢氟酸的比例取值范围为20:1-10:1，包括端点值；所述第一温度的取值范围为40℃-80℃，包括端点值。

可选的，所述将所述半导体硅片放入去离子水中，进行第二次水洗包括：

将所述半导体硅片放入去离子水中，静置第三时间，进行第二次水洗，其中，所述第三时间的取值范围为2分钟-5分钟。