[发明专利]量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法在审

申请号：	201711351242.5	申请日：	2017-12-15
公开（公告）号：	CN109935709A	公开（公告）日：	2019-06-25
发明（设计）人：	曹蔚然;杨一行;向超宇;钱磊;梁柱荣	申请（专利权）人：	TCL集团股份有限公司
主分类号：	H01L51/50	分类号：	H01L51/50;H01L51/56
代理公司：	深圳中一专利商标事务所 44237	代理人：	官建红
地址：	516006 广东省***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	量子点薄膜配体置换制备预制量子点表面共轭基团烃基衍生物载流子传输表面配体发光性能结构通式配体置换沉降烃基相配
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【权利要求书】：

1.一种量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供量子点预制薄膜和含有置换配体的溶液，所述量子点预制薄膜中的量子点含有初始表面配体，所述置换配体的结构通式为：X₁-R-X₂；

其中，X₁和X₂为可与量子点表面结合的官能团，R为具有共轭基团的烃基或烃基衍生物；

将所述量子点预制薄膜与所述含有置换配体的溶液进行液相配体置换，得到量子点表面结合所述置换配体的量子点薄膜。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述置换配体的结构式中，X₁和X₂独立选自卤素原子、-SH、-COOH、-NH₂、-OH、-NO₂、-SO₃H、膦基、磷酸基、醚基、氰基中的至少一种；和/或

R为包含双键和单键交替排列的线状结构和/或环状结构。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述R包括苯基、-C＝C-、-C≡C-、-C＝O、-N＝N-、-C≡N、-C＝N-中的至少一种。

4.如权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述置换配体为对苯二胺、间苯二胺、对苯二腈、间苯二腈、对苯二硫醇、间苯二硫醇、对苯二甲酸、间苯二甲酸、2-巯基苯甲酸、4-巯基苯甲酸、4-氨基苯甲酸、4-羟基苯甲酸、对磺基苯甲酸、对硝基苯甲酸、4-巯基苯胺、4-羟基苯胺、4-氰基苯胺、4-巯基苯乙烯酸、4-羟基苯乙烯酸、2-(4-羟基苯基)吡啶、2-氯-5-氰基噻唑、2-氨基-3-氰基噻吩、1,5-二巯基萘、1,5-二羟基萘、1,4-萘二甲酸、2,6-萘二磺酸、3-氨基-5-巯基-1,2,4-三氮唑中的至少一种。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述液相配体置换的过程为：将所述量子点预制薄膜置于所述溶液中进行浸泡处理。

6.一种量子点薄膜，其特征在于，所述量子点薄膜由权利要求1-5任一项所述的制备方法获得。

7.一种QLED器件，包括层叠设置的底电极、量子点发光层和顶电极，其特征在于，所述量子点发光层为由权利要求1-5任一项所述的制备方法获得的量子点薄膜。

8.如权利要求7所述的QLED器件，其特征在于，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；或

所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。

9.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供底电极；

在所述底电极上制备量子点预制薄膜；

按照权利要求1-5任一项所述的制备方法，将所述量子点预制薄膜制备成量子点薄膜，得到量子点发光层；

在所述量子点发光层上制备顶电极；

其中，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；或所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。

10.一种显示屏，其特征在于，包括权利要求7或8所述的QLED器件。