[发明专利]量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法

说明书

本发明属于量子点技术领域，尤其涉及一种量子点薄膜及其制备方法，以及一种QLED器件及其制备方法。该量子点薄膜的制备方法包括如下步骤：提供量子点预制薄膜和含有置换配体的溶液，所述量子点预制薄膜中的量子点含有初始表面配体，所述置换配体的结构通式为：X₁‑R‑X₂；其中，X₁和X₂为可与量子点表面结合的官能团，R为具有共轭基团的烃基或烃基衍生物；将所述量子点预制薄膜与所述含有置换配体的溶液进行液相配体置换，得到量子点表面结合所述置换配体的量子点薄膜。本发明用带共轭基团的置换配体进行配体置换不会出现溶液沉降的问题，而且提高了量子点薄膜中的载流子传输，可相应地提高器件的发光性能。

技术领域

本发明属于量子点技术领域，尤其涉及一种量子点薄膜及其制备方法，以及一种QLED器件及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)是一种新型的发光器件，其采用量子点材料(Quantum dots,QDs)作为发光层，相比其他发光材料具有难以比拟的优势，如可控的小尺寸效应、超高的内量子效率、优异的色纯度等，在未来显示技术领域具有巨大的应用前景。一般情况下，量子点表面会通过螯合等方式连接有机配体。

量子点的表面配体在量子点合成中起到至关重要的作用，一方面，表面配体能钝化量子点表面的缺陷，提高量子点的发光性能；另一方面，表面配体能够减少量子点之间团聚，并增加量子点在溶剂中的分散能力。在量子点发光二极管器件中，表面配体会进一步影响器件的光电学性能，因此合理选择量子点膜中的表面配体是提高量子点膜及量子点发光二极管发光效率的重要步骤。合成结束之后对量子点表面的配体进行交换是目前比较普遍的方式，但该方法也存在一定的问题：量子点表面的配体影响其在有机溶剂中的分散性，因此在配体交换过程中可能会引入造成量子点分散性不好的配体，特别是一些链长较短的配体分子，经常会出现量子点无法分散的问题，因此无法形成均匀性较好的量子点薄膜。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种量子点薄膜及其制备方法，旨在解决现有量子点薄膜制备过程中配体易团聚沉降、选择性受到限制，以致得到量子点薄膜均匀性不好、效率低的技术问题。

本发明的另一目的在于提供一种含有上述量子点薄膜的QLED器件及其制备方法、显示屏。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

一方面，本发明提供一种量子点薄膜的制备方法，包括以下步骤：

提供量子点预制薄膜和含有置换配体的溶液，所述量子点预制薄膜中的量子点含有初始表面配体，所述置换配体的结构通式为：X₁-R-X₂；

其中，X₁和X₂为可与量子点表面结合的官能团，R为具有共轭基团的烃基或烃基衍生物；

将所述量子点预制薄膜与所述含有置换配体的溶液进行液相配体置换，得到量子点表面结合所述置换配体的量子点薄膜。

相应地，一种量子点薄膜，所述量子点薄膜由上述制备方法获得。

另一方面，本发明提供一种QLED器件，包括叠层设置的底电极、量子点发光层和顶电极，所述量子点发光层为上述制备方法获得的量子点薄膜。

相应地，一种QLED器件的制备方法，包括以下步骤：

提供底电极；

在所述底电极上制备量子点预制薄膜；

按照上述所述量子点薄膜的制备方法，将所述量子点预制薄膜制备成量子点薄膜，得到量子点发光层；

在所述量子点发光层上制备顶电极；