[发明专利]基于BJT的集成电路抗静电转接板及其制备方法

权利要求书

1.一种基于BJT的集成电路抗静电转接板的制备方法，其特征在于，包括：

(a)选取衬底；

(b)在所述衬底中制作BJT、TSV孔及隔离沟槽，所述TSV孔与所述隔离沟槽的深度一致，步骤(b)包括：

(b11)采用光刻工艺，在所述衬底上制作第一待刻蚀区域；

(b12)采用干法刻蚀工艺，在所述第一待刻蚀区域刻蚀所述衬底，形成器件沟槽；

(b13)采用CVD工艺，在所述器件沟槽中淀积硅材料；

(b14)对所述硅材料进行掺杂以形成所述BJT的基区；

(b15)采用带胶离子注入工艺，在所述基区中第一指定区域进行P+离子注入以形成基区接触区；

(b16)采用带胶离子注入工艺，在所述基区中第二指定区域进行N+离子注入以形成所述BJT的发射区；

(b17)采用带胶离子注入工艺，在所述衬底中的基区下方进行N+离子注入以形成所述BJT的集电区；

(b21)采用光刻工艺，在所述衬底上制作第二待刻蚀区域与第三待刻蚀区域；

(b22)采用深度反应离子刻蚀工艺，在所述第二待刻蚀区域与所述第三待刻蚀区域刻蚀所述衬底，分别形成所述TSV孔与所述隔离沟槽；

(b23)采用等离子增强化学气相淀积工艺，在所述TSV孔与隔离沟槽内壁淀积二氧化硅材料作为绝缘层；

(b24)采用湿法刻蚀工艺，选择性刻蚀所述氧化层以使所述TSV孔与所述隔离沟槽的内壁平整；

(b25)采用化学气相淀积工艺，在所述隔离沟槽中填充二氧化硅材料；

(b26)采用物理气相淀积工艺，在所述TSV孔中填充铜材料；

(c)在所述TSV孔与所述BJT上表面制作金属互连线以使所述TSV孔与所述BJT相连接，其中，所述金属互连线围绕成螺旋状；

(d)去除所述衬底底部部分材料，以在所述衬底底部露出所述TSV孔、所述隔离沟槽及所述BJT；

(e)在所述TSV孔与所述BJT下表面制作凸点；

所述隔离沟槽内填充有SiO₂，所述BJT周边被SiO₂绝缘层包围，所述TSV孔内填充有铜材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为N型硅基衬底。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(c)包括：

(c1)采用化学气相淀积工艺，在所述TSV孔与所述BJT上表面淀积钨材料作为第一插塞；

(c2)采用电化学镀铜工艺，在所述第一插塞表面生长铜材料作为金属互连线以使所述TSV孔与所述BJT相连接。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(d)包括：

(d1)采用机械磨削工艺，对所述衬底进行减薄处理；

(d2)采用化学机械抛光工艺，对所述衬底底部进行平整化处理，以露出所述TSV孔、所述隔离沟槽及所述BJT。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(e)包括：

(e1)采用化学气相淀积工艺，在所述TSV孔与所述BJT下表面淀积钨材料作为第二插塞；

(e2)采用电化学镀铜工艺，在述第二插塞表面生长铜材料作为凸点。

6.一种基于BJT的集成电路抗静电转接板，其特征在于，包括衬底、TSV孔、隔离槽、BJT、插塞、金属互连线、凸点及钝化层；其中，所述集成电路抗静电转接板由权利要求1～5任一项所述的方法制备形成。