[发明专利]反型QLED器件及其制备方法有效
申请号: | 201711353407.2 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN109935715B | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 曹蔚然;杨一行;向超宇;钱磊;梁柱荣 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 李艳丽 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | qled 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种反型QLED器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供阴极和置换配体溶液;
在所述阴极上沉积量子点预制薄膜,所述量子点预制薄膜由表面含有初始配体的量子点制成,将所述量子点预制薄膜与所述置换配体溶液中的置换配体进行原位配体交换,将所述初始配体置换为置换配体,得到量子点发光层;
通过溶液加工法在所述量子点发光层表面制备空穴功能层;
在所述空穴功能层上制备阳极,
其中,所述置换配体选自辛胺、丙胺、十六胺、4-巯基苯甲醚、1-羟基-3-甲氧基-丙烷、巯基甘油、1-三甲基胺乙硫醇、巯基苯胺、硝基苯胺、磺基苯胺、氨基苯甲酸、4-(二苯基膦基)苯甲酸、4-氨基苯甲酸、4-羟基苯甲酸、对磺基苯甲酸、对硝基苯甲酸、4-巯基苯胺、4-羟基苯胺、4-氰基苯胺、4-巯基苯乙烯酸、4-羟基苯乙烯酸、2-(4-羟基苯基)吡啶、2-氯-5-氰基噻唑、2-氨基-3-氰基噻吩、3-氨基-5-巯基-1,2,4-三氮唑中的至少一种,
当所述置换配体选自辛胺、丙胺、十六胺、4-巯基苯甲醚、1-羟基-3-甲氧基-丙烷中的至少一种时,制备所述空穴功能层的空穴功能材料溶液的溶剂选自甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、异丁醇、仲丁醇、叔丁醇、戊醇、异戊醇、叔戊醇、环己醇、辛醇、苄醇、乙二醇、苯酚、邻甲酚、乙醚、苯甲醚、苯乙醚、二苯醚、乙二醇二甲醚、丙二醇甲醚、乙二醇二乙醚、羟乙基乙醚、丙二醇单丙基醚、丙二醇单丁基醚、乙醛、苯甲醛、丙酮、丁酮、环己酮、苯乙酮、甲酸、乙酸、乙酸乙酯、草酸二乙酯、丙二酸二乙酯、乙酸丙酯、甲基丙酯、乙酸丁酯、乙酸甲基戊酯、硝基苯、乙腈、二乙胺、三乙胺、苯胺、吡啶、甲基吡啶、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、六甲基磷酰胺、二硫化碳、甲硫醚、乙硫醚、二甲亚砜、硫醇、乙硫醇、甲氧基四氢呋喃中的至少一种,并且
当所述置换配体选自巯基甘油、1-三甲基胺乙硫醇、巯基苯胺、硝基苯胺、磺基苯胺、氨基苯甲酸、4-(二苯基膦基)苯甲酸中的至少一种时,制备所述空穴功能层的空穴功能材料溶液选自己烷、环己烷、庚烷、正辛烷、异辛烷、异戊烷、戊烷、甲基戊烷、乙基戊烷、环戊烷、甲基环戊烷、乙基环戊烷、苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二硫化碳、四氯化碳、二氯甲烷、二氯乙烷、氯丁烷、二溴甲烷、溴丙烷、碘甲烷、二苯醚、三氯乙烯、正丁醚、二硫醚、异丙醚、碳酸二甲酯、三辛胺、甲乙酮、三丁胺、四氢呋喃、氯苯中的一种或多种。
2.如权利要求1所述的反型QLED器件的制备方法,其特征在于,将所述量子点预制薄膜与所述置换配体溶液中的置换配体进行原位配体交换的方法为:将所述量子点预制薄膜浸泡在所述置换配体溶液中进行原位配体交换。
3.一种反型QLED器件,包括层叠结合的阴极、量子点发光层、空穴功能层和阳极,其特征在于,其中,所述反型QLED器件由权利要求1-2任一项所述方法制备获得。
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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