[发明专利]反型QLED器件及其制备方法

说明书

本发明提供了一种反型QLED器件的制备方法，包括以下步骤：提供阴极和置换配体溶液；在所述阴极上沉积量子点预制薄膜，所述量子点预制薄膜由表面含有初始配体的量子点组成，将所述量子点预制薄膜与所述置换配体溶液中的置换配体进行原位配体交换，将所述初始配体置换为置换配体，得到量子点发光层；在所述量子点发光层表面制备空穴功能层，在所述空穴功能层上制备阳极。

技术领域

本发明属于平板显示技术领域，尤其涉及一种反型QLED器件及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管（Quantum dot light-emitting diode, QLED），是一种新型的发光器件，其采用量子点材料（Quantum dots, QDs）作为发光层，相比其他发光材料具有难以比拟的优势，如可控的小尺寸效应、超高的内量子效率、优异的色纯度等，在未来显示技术领域具有巨大的应用前景。

一般情况下，量子点表面会通过螯合等方式连接有机配体或者通过形成化学键等方式连接无机配体。量子点的表面配体在量子点合成中起到至关重要的作用，一方面，表面配体能钝化量子点表面的缺陷，提高量子点的发光性能；另一方面，表面配体能够减少量子点之间团聚，并增加量子点在溶剂中的分散能力。在量子点发光二极管器件中，表面配体会进一步影响器件的光电学性能，因此合理选择量子点膜中的量子点表面的配体是提高量子点薄膜及量子点发光二极管发光效率的重要步骤。

在合成结束之后对量子点表面的配体进行交换是目前比较普遍的方式。但该方法存在一定的问题。首先，量子点表面的配体影响其在有机溶剂中的分散性，因此在配体交换过程中引入的配体可能会造成量子点的分散性不好，特别是对于一些链长较短的配体分子，经常会出现量子点无法分散的问题，因此无法形成均匀性较好的量子点薄膜。其次，在溶液中直接进行配体交换时，所选的配体结构和种类受到较大的限制，例如，溶液配体交换所用的配体只能是单配位配体，即不能使用交联性配体（同时连接2个或以上QD），因为在溶液中加入交联性配体后量子点之间或相互连接，进而团聚和聚沉。同时，由于溶液中量子点较多，产生配体交换不充分的情况。此外，用于置换的新配体还存在不能溶解在原量子点溶液中的情况，此时配体的选择性大大降低。

在此基础上，目前主流的反型QLED器件（正负极位置对换，在衬底上依次是阴极、电子功能层、量子点发光层、空穴功能层、空穴注入材料和阳极），由于在量子点发光层上面通过溶液法制备空穴传输层和空穴注入层时，所用溶剂可能重新溶解带走或直接冲走量子点发光层中的量子点，破坏量子点层，从而影响量子点发光层的成膜均匀性和界面性能，进而影响反型QLED器件发光均匀性，特别是对于印刷技术制备的量子点发光层。

发明内容

本发明的目的在于提供一种反型QLED器件及其制备方法，旨在解决现有的反型QLED器件的制备过程中，空穴功能层的溶剂破坏量子点层，从而影响量子点发光层的成膜均匀性和界面性能的问题。

本发明是这样实现的，一种反型QLED器件的制备方法，包括以下步骤：

提供阴极和置换配体溶液；

在所述阴极上沉积量子点预制薄膜，所述量子点预制薄膜由表面含有初始配体的量子点组成，将所述量子点预制薄膜与所述置换配体溶液中的置换配体进行原位配体交换，将所述初始配体置换为置换配体，得到量子点发光层；

在所述量子点发光层表面制备空穴功能层，在所述空穴功能层上制备阳极。

以及，一种反型QLED器件，包括层叠结合的阴极、量子点发光层、空穴功能层和阳极，其中，所述反型QLED器件由上述方法制备获得。