[发明专利]微发光二极管转移方法

权利要求书

1.一种微发光二极管转移方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10，提供一个弹性基体以及多个LED芯片，并将所述多个LED芯片以矩阵排列的方式粘贴于所述弹性基体，拉伸所述弹性基体，对所述多个LED芯片进行扩晶，以获得LED芯片初始基底，所述LED芯片初始基底的所述多个LED芯片之间的距离设置为150μm-600μm；

S20，提供一个设置有多个凹槽的转移底板，所述多个凹槽形成的矩阵图形包括所述多个LED芯片形成的矩阵，将所述LED芯片初始基底扣合于所述转移底板，所述多个LED芯片与所述多个凹槽一一对应，用以将每个LED芯片设置于一个所述凹槽中，去除所述弹性基体，将所述多个LED芯片固定设置于所述转移底板；

S30，提供一个电路基板，使所述转移底板与所述电路基板贴合，并将所述多个LED芯片的电极与所述电路基板焊接；

S40，将所述转移底板与所述电路基板分离。

2.如权利要求1所述的微发光二极管转移方法，其特征在于，所述弹性基体为蓝膜。

3.如权利要求1所述的微发光二极管转移方法，其特征在于，所述多个凹槽的尺寸比所述多个LED芯片的尺寸大5μm-10μm。

4.如权利要求1所述的微发光二极管转移方法，其特征在于，在所述步骤S20中，所述多个LED芯片的电极远离所述多个凹槽。

5.如权利要求1所述的微发光二极管转移方法，其特征在于，在所述步骤S20中，将所述LED芯片初始基底扣合于所述转移底板，所述多个LED芯片与所述多个凹槽一一对应，用以将每个LED芯片设置于一个所述凹槽中，步骤包括：

S221，在所述转移底板的所述多个凹槽的内表面均匀喷涂一层粘性剂；

S222，将所述LED芯片初始基底倒扣于所述转移底板；

S223，将所述多个LED芯片刺入所述多个凹槽中，并与所述粘性剂紧密贴合，用以将每个所述LED芯片固定设置于每个所述凹槽中。

6.如权利要求5所述的微发光二极管转移方法，其特征在于，所述粘性剂为UV剂。

7.如权利要求1所述的微发光二极管转移方法，其特征在于，所述步骤S30包括：

S310，提供一个电路基板，所述电路基板的焊盘上印刷锡膏，且所述电路基板设置有基准点；

S320，将所述转移底板设置基准点，并与所述电路基板的基准点相对应，用以将所述多个LED芯片的电极与所述电路基板接触；

S330，将所述多个LED芯片的电极与所述电路基板焊盘焊接。

8.如权利要求6所述的微发光二极管转移方法，其特征在于，所述步骤S40包括：

S410，对所述转移底板进行UV光照射；

S420，将所述转移底板与所述多个LED芯片分离，用以将所述多个LED芯片设置于所述电路基板。

9.如权利要求1所述的微发光二极管转移方法，其特征在于，所述电路基板为LED光源面板或LED显示面板。

10.一种LED模组，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的微发光二极管转移方法获得的承载有LED芯片的所述电路基板和膜片，所述膜片设置于所述多个LED芯片的发光面，用于集中所述多个LED芯片的发光强度。

11.如权利要求10所述的LED模组，其特征在于，所述LED模组还包括外壳，所述外壳构成一个收纳空间，用以收纳所述电路基板和所述膜片。