[发明专利]微发光二极管转移方法

说明书

本发明提供一种微发光二极管转移方法，提供一个LED芯片初始基底，所述LED芯片初始基底设置有多个LED芯片。同时，提供一个设置有多个凹槽的转移底板，将所述多个LED芯片转移至所述多个凹槽中，获得承载所述多个LED芯片的转移底板。并且，提供一个电路基板，使所述转移底板与所述电路基板贴合，并将所述多个LED芯片的电极与所述电路基板焊接。将所述转移底板与所述电路基板分离。将所述多个LED芯片设置于所述LED芯片初始基底，并通过所述转移底板将所述多个LED芯片转移至所述电路基板，可以每次转移大量的LED芯片，提高了生产效率，避免了芯片偏移。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种微发光二极管转移方法。

背景技术

微发光二极管(Micro LED)显示器是一种以在一个基板上集成的高密度微小尺寸的LED阵列作为显示像素来实现图像显示的显示器。Micro LED显示器同大尺寸的户外LED显示屏一样，每一个像素可定址、单独驱动点亮，可以看成是户外LED显示屏的缩小版，将像素点距离从毫米级降低至微米级。由于元件的微缩，有许多问题尚待克服或改善，而制作过程中转移技术则是产品能否量产且达商业产品之标准的关键。

目前，平面LED模组生产方法多为使用固晶机将扩膜后的芯片从蓝膜上转移到基板上，其方法为固晶机上带有吸嘴的机械臂，依靠气压，将芯片逐颗从蓝膜上吸取到基板上。因此，现有的微发光二极管转移方法工作效率低，且固定到基板上时芯片容易发生偏移。

发明内容

基于此，有必要针对现有的微发光二极管转移方法工作效率低，且固定到基板上时芯片容易发生偏移的问题，提供一种每次转移数量多，工作效率高的微发光二极管转移方法。

本发明提供一种微发光二极管转移方法，包括以下步骤：

S10，提供一个LED芯片初始基底，所述LED芯片初始基底设置有多个LED芯片；

S20，提供一个设置有多个凹槽的转移底板，将所述多个LED芯片转移至所述多个凹槽中，获得承载所述多个LED芯片的转移底板；

S30，提供一个电路基板，使所述转移底板与所述电路基板贴合，并将所述多个LED芯片的电极与所述电路基板焊接；

S40，将所述转移底板与所述电路基板分离。

在其中一个实施例中，所述步骤S10包括：

S110，提供一个弹性基体以及多个LED芯片；

S120，将所述多个LED芯片以矩阵排列的方式粘贴于所述弹性基体；

S130，拉伸所述弹性基体，对所述多个LED芯片进行扩晶，以获得所述LED芯片初始基底。

在其中一个实施例中，所述多个LED芯片之间的距离均为150μm-600μm。

在其中一个实施例中，所述弹性基体为蓝膜。

在其中一个实施例中，所述步骤S20包括：

S210，提供一个设置有多个凹槽的转移底板，所述多个凹槽形成的矩阵图形包括所述多个LED芯片形成的矩阵；

S220，将所述LED芯片初始基底扣合于所述转移底板，所述多个LED芯片与所述多个凹槽一一对应，用以将每个LED芯片设置于一个所述凹槽中；

S230，去除所述弹性基体，将所述多个LED芯片固定设置于所述转移底板。

在其中一个实施例中，所述多个凹槽的尺寸比所述多个LED芯片的尺寸大5μm-10μm。

在其中一个实施例中，在所述步骤S220中，所述多个LED芯片的电极远离所述多个凹槽。