[发明专利]半导体晶圆切割方法

权利要求书

1.一种切割半导体晶圆的方法，其中，所述晶圆包括在所述晶圆上以矩阵排列的多个裸片，其中，所述裸片由在第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的锯道分离，所述方法包括：

在所述晶圆的第一半部上沿所述第一方向上的锯道进行切割；

在与所述第一半部相对的所述晶圆的第二半部上沿所述第一方向上的锯道进行切割；以及

沿所述第二方向上的锯道进行台阶状切割，从而使所有裸片彼此分离，并且所述裸片的与所述第一方向平行的侧面是平坦的，而所述裸片的与所述第一方向垂直的侧面是台阶状的。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述台阶状切割包括：用具有第一厚度的第一锯刀沿所述第二方向上的锯道进行第一切割达到第一深度，以及用具有第二厚度的第二锯刀沿所述第二方向上的锯道进行第二切割达到第二深度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一厚度大于所述第二厚度。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一深度为晶圆厚度的70％到80％。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一锯刀具有范围从20微米到25微米的厚度。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二锯刀具有范围从15微米到20微米的厚度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，使用具有第一厚度的锯刀在所述晶圆的所述第一半部上沿所述第一方向上的锯道执行切割。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，使用具有不同于所述第一厚度的第二厚度的锯刀在所述晶圆的所述第二半部上沿所述第一方向上的锯道执行切割。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一厚度大于所述第二厚度。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述晶圆在所述第一方向上弯曲。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述晶圆的第一半部上沿所述第一方向上的锯道进行切割之前，沿所述第二方向上的锯道并穿过所述晶圆的中心地进行第一切割，以将所述晶圆分成第一半部和第二半部。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：在进行所述第一切割之后、并且在所述晶圆的第一半部上沿所述第一方向上的锯道进行切割之前，沿所述第一方向上的锯道并穿过所述晶圆的中心地进行第二切割，以将所述晶圆分成四等份。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，在进行所述第一切割之前，将所述晶圆固定在具有薄膜框架载体的切割胶带上。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，用粘合剂将所述晶圆固定在所述载体上。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，用真空压力将所述晶圆固定在所述载体上。

16.一种通过权利要求1所述的方法形成的半导体裸片。

17.一种具有形成在其中的集成电路的半导体裸片，包括：

平坦的顶部表面；

平坦的底部表面，其与该平坦的顶部表面相对；

第一侧面和第二侧面，其在所述顶部表面和所述底部表面之间延伸，其中所述第一侧面和第二侧面彼此相对并且是平坦的；以及

第三侧面和第四侧面，其在所述顶部表面和所述底部表面之间延伸，其中所述第三侧面和第四侧面彼此相对，并且其中所述第三侧面和第四侧面为台阶状，使得所述底部表面的长度大于所述顶部表面的长度。

18.根据权利要求17所述的半导体裸片，其中，所述台阶状侧面具有一个台阶。