[发明专利]半导体晶圆切割方法

说明书

一种切割弯曲或翘曲的半导体晶圆的方法，包括：在所述晶圆的第一半部上沿第一方向上的锯道进行切割，其中所述第一方向平行于弯曲；在与第一半部相对的晶圆的第二半部上沿第一方向上的锯道进行切割；以及，沿第二方向上的锯道进行台阶状切割，使得所有裸片彼此分离，并且裸片的与沿弯曲方向的侧面是平坦的，而裸片的与弯曲方向垂直的侧面是台阶状的。

技术领域

本发明涉及半导体晶圆，更具体地，涉及切割半导体晶圆的方法。

背景技术

集成电路裸片(die)形成在半导体晶圆上。取决于晶圆的尺寸、用于在晶圆上形成裸片的工艺和材料、以及晶圆可能暴露的任何环境条件，晶圆可能经历一些翘曲或弯曲。例如，对于采用深沟槽技术的晶圆来说，一些晶圆弯曲是固有的。图1示出了弯曲的晶圆10的示例，该弯曲的晶圆10上形成有多个集成电路裸片12。可以看到，晶片10是翘曲的或者包括弯曲14。安装到胶带上的弯曲晶圆经历高残余应力，使得在切割晶圆时可能产生裸片碎裂，这降低了产量，因此成本高昂。

能够无过多碎裂地分割形成在晶圆上的裸片是有利的，从而提供更好的产量。

发明内容

本发明提供了一种将半导体晶圆切割或分割成多个裸片的方法，其中所述晶圆包括在所述晶圆上以矩阵排列的多个裸片。所述裸片由沿第一方向和第二方向延伸的锯道(saw street)分离，其中第二方向垂直于第一方向。所述方法包括以下步骤：在晶圆的第一半部上沿第一方向上的锯道进行切割；在晶圆的与第一半部相对的第二半部上沿第一方向上的锯道进行切割；以及，沿第二方向上的锯道进行台阶状切割，使得所有裸片彼此分离，并且裸片的与第一方向平行的侧面是平坦的，而裸片的与第一方向垂直的侧面是台阶状的。

在另一个实施例中，本发明提供已从晶圆切割出来的半导体裸片。所述裸片具有形成在其中的集成电路，并且所述裸片包括：平坦的顶部表面；与该平坦的顶部表面相对的平坦的底部表面；在顶部表面和底部表面之间延伸的第一侧面和第二侧面，其中第一侧面和第二侧面彼此相对且为平坦的；以及在顶部表面和底部表面之间延伸的第三侧面和第四侧面，其中所述第三侧面和第四侧面彼此相对，并且其中第三侧面和第四侧面为台阶状，使得底部表面的长度大于顶部表面的长度。

附图说明

通过示例的方式说明本发明，并且本发明不受附图中所示的实施例的限制，其中相同的附图标记表示相同的元件。附图中的元件是为了简化和明晰而示出的，但不一定按比例绘制。

图1是弯曲的半导体晶圆的照片；

图2A、图2B和图2C是示出根据本发明的优选实施例的晶圆切割的各步骤的晶圆的俯视图；以及

图3是根据本发明的实施例的从半导体晶圆切割出的集成电路裸片的等距视图。

具体实施方式

现在参照图2A，示出了包括半导体裸片22的阵列的晶圆20的俯视图。如本领域技术人员已知的，裸片22成行成列形成并且由锯道分离。晶圆20大体上为圆形并且通常包括用于定向晶圆20的一个直边24。如前所述，随着晶圆变得更薄更大，晶圆可能会发生翘曲或弯曲。虽然本文公开的发明对于弯曲的晶圆特别有用，但是本领域技术人员将会理解，本发明可以在不弯曲的晶圆上实施。在图2A中，示例晶片20是弯曲的并且在晶圆左侧的箭头所示的方向上弯曲。

首先，在切割晶圆20之前，将晶圆20固定到具有薄膜框架载体的切割胶带。如本领域中已知的，可以用粘合剂和/或真空压力将晶圆固定到载体。由于切割胶带和薄膜框架载体在本领域中是已知的，而且不需要对已知载体进行修改来实施本发明，因此对于完整地理解本发明来说对切割胶带和薄膜框架载体的进一步描述不是必需的。