[发明专利]一种IC封装工艺在审
申请号: | 201711361080.3 | 申请日: | 2017-12-18 |
公开(公告)号: | CN108807192A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 何忠亮;王华祖;张旭东;李亮;徐光泽;沈正;罗再成 | 申请(专利权)人: | 深圳市环基实业有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L33/48;H01L33/52 |
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地址: | 518125 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透光基片 封装体 产品封装 电极粘附 封装工艺 绿色生产 电测 制程 封装 集成电路 剥离 分割 节约 优化 | ||
本公开揭示了一种IC封装工艺,包括:S1、利用胶将电极粘附在透光基片以构成IC封装载板;S2、对所述IC封装载板进行IC封装形成封装体;S3、降低所述胶的粘性,以使得所述透光基片与所述封装体分离;S4、对封装体进行表面处理、电测、分割或包装,完成IC封装制程。本公开优化了封装工艺,产品封装后,透光基片与封装后的集成电路易于剥离,有利于节约成本和绿色生产。
技术领域
本公开属于电子技术领域,特别涉及一种IC封装工艺。
背景技术
方形扁平无引脚封装(Quad Flat No-lead Package,QFN)技术是一种重要的集成电路封装工艺,具有表面贴装式封装,焊盘尺寸小、体积小、占有PCB区域小、元件厚度薄、非常低的阻抗、自感,可满足高速或者微波的应用等优点。由于底部中央的大面积裸露焊盘被焊接到PCB的散热焊盘上,使得QFN具有极佳的电和热性能。但缺点在于QFN中部向四周连续布线,线宽受限于铜厚、且难以设计孤岛电极,增加I/0数会带来的生产成本和可靠性问题,限制了芯片和PCB板的设计自由度。相比较而言球栅阵列芯片封装技术(Ball Grid Array.BGA)可增加I/O数和间距,在设计上较QFN更为灵活,但工艺检修困难,对PCB板工艺要求更高,不适用于可靠性要求高的器件的封装及产业效率的提高。
受蚀刻能力的限制, LED EMC支架与倒装基板的生产精度和密度都会有所限制。而 LED 被要求高度集成,低的光成本及高可靠性,EMC支架及倒装CSP基板的加工能力受到较大的挑战。
发明内容
针对现有技术的不足,本公开提出了一种IC封装工艺,所述工艺包括以下步骤:
S1、利用胶将电极粘附在透光基片上以构成IC封装载板;
S2、对所述IC封装载板进行IC封装形成封装体;
S3、降低所述胶的粘性,以使得所述透光基片与所述封装体分离;
S4、对封装体进行表面处理、电测、分割或包装,完成IC封装制程。
本公开具有以下有益效果:
1、可以使载板与IC封装体较容易地分离,同时不会由于使用传统技术中的蚀刻工艺而造成金属的损失。从整体上降低蚀刻的药剂成本、贵金属损失成本以及对于蚀刻废弃物处理的成本。
2、本公开优化了封装工艺,产品封装后,透光基片与封装后的集成电路易于剥离,有利于节约成本和绿色生产,不需在封装厂和基板厂两者间反复的工件流转,从而缩短加工周期,工序间的控制更加顺畅。
3、产品可在封装后再剥离,固晶不需特殊治具,极大提高了工作效率和良品率。
附图说明
图1 为本公开的一个实施例中IC分切后的封装载板截面图;
图2为本公开的一个实施例中蚀刻后的封装载板截面图;
图3为本公开的一个实施例中打线封装后的封装载板截面图;
图4 为本公开的一个实施例中紫外光照射示意图;
图5为本公开的另一个实施例中IC分切后的封装载板截面图;
图6 为本公开的另一个实施例中蚀刻后的封装载板截面图;
图7 为本公开的另一个实施例中打线封装后的封装载板截面图;
图8为本公开的另一个实施例中紫外光照射示意图;
图9为本公开的另一个实施例中光电封装的示意图;
其中:1-芯片,2-封装树脂,3-键合线,4-IC底座,5-I型电极,5’-T型电极,6-光敏胶,7-透光基片,8-防止光照射保护层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造