[发明专利]元件基板及其制造方法

权利要求书

1.一种元件基板，其特征在于，包含:

一接收基板，具有多个子区域；

至少一微型发光元件，设置于该些子区域至少一个上，且该微型发光元件包含:

一第一图案化半导体层，设置于该接收基板上；

一第二图案化半导体层，设置于该接收基板上，其中，该第二图案化半导体的极性相反于该第一图案化半导体的极性，且该第一图案化半导体层的投影面积大于该第二图案化半导体层的投影面积；

一图案化发光层，设置于该第一图案化半导体层与该第二图案化半导体层之间，其中，该第一图案化半导体层、该第二图案化半导体层与该图案化发光层分别具有一第一侧与一第二侧，且该第一侧不同于该第二侧；以及

其中，该第一图案化半导体层具有一第一缺角邻近于该第一侧，该第二图案化半导体层具有一第二缺角邻近于该第二侧；以及

一第一导电结构，至少部份位于该第一缺角中，且电性连接该图案化第一半导体层与该接收基板的一参考电压线；以及

一第二导电结构，至少部分位于该第二缺角中，且电性连接该图案化第二半导体层与该接收基板的至少一驱动元件。

2.根据权利要求1所述的元件基板，其特征在于，更包含一绝缘层，至少分别覆盖于该第一图案化半导体层的该第一侧与该第二侧、该图案化发光层的该第一侧与该第二侧以及该第二图案化半导体层的该第一侧与该第二侧。

3.根据权利要求2所述的元件基板，其特征在于，该第一导电结构至少经由该第一缺角直接接触该第一图案化半导体层，且该第二导电结构至少经由该第二缺角直接接触该第二图案化半导体层。

4.根据权利要求1所述的元件基板，其特征在于，该第一导电结构至少经由该第一缺角直接接触该第一图案化半导体层，该第二导电结构至少经由该第二缺角直接接触该第二图案化半导体层，且该第二图案化半导体层位于该第一图案化半导体层与该接收基板之间。

5.根据权利要求1所述的元件基板，其特征在于

该第一缺角的至少一部份轮廓连接于该第一图案化半导体层的一表面与该第一图案化半导体层的该第一侧之间，且

该第二缺角的至少一部份轮廓连接于该第二图案化半导体层的一表面与该第二图案化半导体层的该第二侧之间。

6.一种制造元件基板的方法，其特征在于，该方法包含:

于一生长基板上依序形成一第一半导体层、一发光层以及一与该第一半导体层极性相反的第二半导体层；

图案化该第一半导体层、该发光层与该第二型半导体层，以形成一第一图案化半导体层、一图案化发光层与一第二图案化半导体层，其中该第一图案化半导体层的投影面积大于该第二图案化半导体层的投影面积，且该第一图案化半导体层、该第二图案化半导体层与该图案化发光层分别具有一第一侧与一第二侧，且该第一侧不同于该第二侧；

移除该第一图案化半导体层的至少部分，以形成一第一缺角，其中，该第一缺角邻近于该第一图案化半导体层的该第一侧；

移除该第二图案化半导体层的至少部分，以形成一第二缺角，其中，该第二缺角邻近于该第二图案化半导体层的该第二侧；

进行一转置步骤，将该第一图案化半导体层、该图案化发光层以及该第二图案化半导体层转置于一接收基板上；

分别形成一第一导电结构与一第二导电结构于该第一缺角至少部份以及该第二缺角至少部份，以使得该第一导电结构电性连接该第一图案化半导体层与该接收基板的一参考电压线，并使该第二导电结构电性连接该第二图案化半导体层与该接收基板的至少一驱动元件。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

该移除该第一图案化半导体层的至少部分，以形成一第一缺角的步骤，与

该移除该第二图案化半导体层的至少部分，以形成一第二缺角的步骤，

是在该转置步骤之后。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

该移除该第一图案化半导体层的至少部分，以形成该第一缺角的步骤，与

该移除该第二图案化半导体层的至少部分，以形成该第二缺角的步骤，

是在该转置步骤之前。