[发明专利]元件基板及其制造方法

说明书

一种元件基板，包含接收基板、微型发光元件、第一导电结构、第二导电结构、参考电压线与驱动元件。接收基板具有多个子区域。微型发光元件设置于至少一个子区域上。微型发光元件包含第一图案化半导体层、第二图案化半导体层以及图案化发光层。第一图案化半导体层具有邻近于第一侧的第一缺角。第二图案化半导体层具有邻近于第二侧的第二缺角。部份第一导电结构位于第一缺角中，且电性连接图案化第一半导体层与参考电压线。部分第二导电结构位于第二缺角中，且电性连接图案化第二半导体层与驱动元件。本发明还提出一种元件基板的制造方法。

技术领域

本发明是有关于一种元件基板及其制造方法，且特别是有关于具有微型发光元件的元件基板及其制造方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode,LED)于显示器元件中的使用，起自于液晶显示器背光模块的应用。液晶显示器中的像素结构并不具备发光功能，而是用来控制液晶的方向，借此控制背光模块所发出来的光的通过与否。然而，由于一般背光模块中使用的白光发光二极管所能提供的色彩饱和度不如三原色发光二极管(红光、绿光以及蓝光)的色彩饱和度。因此，一种直接将三原色发光二极管置于像素结构中的微发光二极管显示器(MicroLED Display)的技术逐渐出现在市场上。

在微发光二极管显示器中，需要先在生长基板上沉积半导体层后，接着再将已经图案化的半导体层自生长基板上转置于接收基板(例如为元件数组基板)上，使图案化的半导体层可与接收基板上的电路电性连接，形成微型发光二极管。然而，转置步骤容易出现对位不准的问题，使微型发光二极管无法正常运作。因此，目前亟需一种能解决前述问题的方法。

发明内容

本发明提供一种元件基板，能提升微型发光元件与接收基板电性连接的良率，以及提升微型发光元件于接收基板的发光效率。

本发明亦提供一种制造元件基板的方法，能提升微型发光元件与接收基板电性连接的良率，以及提升微型发光元件于接收基板的发光效率。

本发明的至少一实施例提供一种元件基板，元件基板包含接收基板、微型发光元件、第一导电结构、参考电压线、第二导电结构以及驱动元件。接收基板具有多个子区域。微型发光元件设置于子区域至少一个上。微型发光元件包含第一图案化半导体层、第二图案化半导体层以及图案化发光层。第一图案化半导体层设置于接收基板上。第二图案化半导体层设置于接收基板上。第二图案化半导体的极性相反于第一图案化半导体的极性。第一图案化半导体层的投影面积大于第二图案化半导体层的投影面积。图案化发光层设置于第一图案化半导体层与第二图案化半导体层之间。第一图案化半导体层、第二图案化半导体层与图案化发光层分别具有第一侧与第二侧。第一侧不同于第二侧。第一图案化半导体层具有第一缺角，第一缺角邻近于第一侧。第二图案化半导体层具有第二缺角，第二缺角邻近于第二侧。第一导电结构至少部份位于第一缺角中，且电性连接图案化第一半导体层与接收基板的参考电压线。第二导电结构至少部分位于第二缺角中，且电性连接图案化第二半导体层与接收基板的至少一驱动元件。

本发明的至少一实施例提供一种制造元件基板的方法，制造元件基板的方法包含：于生长基板上依序形成第一半导体层、发光层以及与第一半导体层极性相反的第二半导体层。图案化第一半导体层、发光层与第二型半导体层，以形成第一图案化半导体层、图案化发光层与第二图案化半导体层，其中第一图案化半导体层的投影面积大于第二图案化半导体层的投影面积，其中，第一图案化半导体层、第二图案化半导体层与图案化发光层分别具有第一侧与第二侧，且第一侧不同于第二侧。移除第一图案化半导体层的至少部分，以形成第一缺角，其中，第一缺角邻近于第一图案化半导体层的第一侧。移除第二图案化半导体层的至少部分，以形成第二缺角，其中，第二缺角邻近于第二图案化半导体层的第二侧。进行一转置步骤，将第一图案化半导体层、图案化发光层以及第二图案化半导体层转置于接收基板上。分别形成第一导电结构与第二导电结构于第一缺角至少部份以及第二缺角至少部份，以使得第一导电结构电性连接第一图案化半导体层与接收基板的参考电压线，并使第二导电结构电性连接第二图案化半导体层与接收基板的至少一驱动元件。