[发明专利]感测单元及其制造方法

权利要求书

1.一种感测单元，其特征在于，包括：

一基板；

一读取元件，位于该基板之上；

一第一绝缘层，位于该基板之上；

一感光元件，设置于该第一绝缘层上，该感光元件包括一第一下电极、一感测层和一第一上电极，该第一下电极位于该第一绝缘层上并且与该读取元件电性连接，该感测层位于该第一下电极上，该第一上电极位于该感测层上；

一二极管元件，设置于该第一绝缘层上，该二极管元件包括一第二下电极、一半导体层和一第二上电极，该第二下电极位于该第一绝缘层上，该半导体层位于该第二下电极上，该第二上电极位于该半导体层上；

一保护层，设置于该读取元件、该感光元件以及该二极管元件上；以及

一发光元件，设置于该感光元件上方，该发光元件包括一第三下电极、一发光层和一第三上电极，该第三下电极位于该保护层上，该发光层位于该第三下电极上，该第三上电极位于该发光层上；

其中，该二极管元件的该第二下电极和该第二上电极二者之中作为阳极者电性耦接至该发光元件的该第三下电极和该第三上电极二者之中作为阴极者，并且该二极管元件的该第二下电极和该第二上电极二者之中作为阴极者电性耦接至该发光元件的该第三下电极和该第三上电极二者之中作为阳极者。

2.根据权利要求1所述的感测单元，其特征在于，更包括一第一导通结构与一第二导通结构，其中该二极管元件的该第二下电极借由该第一导通结构电性连接至该发光元件的该第三下电极，该二极管元件的该第二上电极借由该第二导通结构电性连接至该发光元件的该第三上电极。

3.根据权利要求1所述的感测单元，其特征在于，更包括一第一导通结构与一第二导通结构，其中该二极管元件的该第二下电极借由该第一导通结构电性连接至该发光元件的该第三上电极，该二极管元件的该第二上电极借由该第二导通结构电性连接至该发光元件的该第三下电极。

4.根据权利要求1所述的感测单元，其特征在于，

该读取元件包括一栅极、一栅极绝缘层、一通道层、一源极和一漏极，该栅极绝缘层设置于该栅极上且连接于该第一绝缘层，该通道层与该栅极对应设置，该源极和该漏极对应设置于该通道层的两侧，且该漏极与该第一下电极电性连接；以及

该保护层包含一第二绝缘层与一第三绝缘层，其中该第二绝缘层设置于该第一绝缘层之上并覆盖该读取元件、部分的该第一下电极及部分的该第二下电极，以及该第三绝缘层设置于该第一上电极与部分的该第二上电极之上，该发光元件的该第三下电极系位于该第三绝缘层之上。

5.根据权利要求4所述的感测单元，其特征在于，更包含一第四绝缘层，设置于该发光元件的部分的该第三下电极上，且该发光元件的该第三上电极位于该第四绝缘层之上。

6.根据权利要求5所述的感测单元，其特征在于，更包括一第一导通结构与一第二导通结构，其中：

该第二绝缘层具有一第一导孔，该第三绝缘层系具有一第二导孔与一第三导孔，该第四绝缘层具有一第四导孔；

该第一导通结构位于该第一导孔和该第二导孔之中，该第二导通结构位于该第三导孔和该第四导孔之中；以及

该二极管元件的该第二下电极借由该第一导通结构电性连接至该发光元件的该第三下电极，该二极管元件的该第二上电极借由该第二导通结构电性连接至该发光元件的该第三上电极。

7.根据权利要求5所述的感测单元，其特征在于，更包括一第一导通结构与一第二导通结构，其中

该第二绝缘层具有一第一导孔，该第三绝缘层具有一第二导孔与一第三导孔，该第四绝缘层具有一第四导孔；

该第一导通结构位于该第一导孔、该第二导孔和该第四导孔之中，该第二导通结构位于该第三导孔之中；以及

该二极管元件的该第二下电极借由该第一导通结构电性连接至该发光元件的该第三上电极，该二极管元件的该第二上电极借由该第二导通结构电性连接至该发光元件的该第三下电极。

8.根据权利要求1所述的感测单元，其特征在于，更包括一封装层，配置于该发光元件上。