[发明专利]双极晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：

提供P型衬底，在所述P型衬底上形成N型埋层，在所述N型埋层上形成N型外延层，形成贯穿所述N型外延层与所述N型埋层并延伸至所述P型衬底中的隔离沟槽，形成贯穿所述N型外延层并延伸至所述N型埋层中的N阱，以及在所述隔离沟槽、所述N阱及所述N型外延层上形成氧化层与贯穿所述氧化层且对应所述N型外延层的第一开口；

在所述氧化层及所述第一开口处的N型外延层上形成第一多晶硅，对所述第一多晶硅进行P型注入；

对所述第一多晶硅进行表面氧化从而在所述第一多晶硅表面形成氧化硅层；

利用光刻胶对所述氧化硅层进行光刻及腐蚀，去除所述氧化层上的部分第一多晶硅上的氧化硅层；

在所述第一多晶硅及所述氧化硅层上形成第二多晶硅；

对所述第二多晶硅及所述第一多晶硅进行光刻与刻蚀，去除所述氧化层上的部分第一多晶硅及第二多晶硅；

去除所述第一多晶硅上的部分氧化硅层及部分第二多晶硅，从而形成贯穿所述第二多晶硅及所述氧化硅层的第二开口；

对所述第二开口处的第一多晶硅进行热氧化形成氧化物；

去除所述氧化物。

2.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法还包括以下步骤：利用所述第二开口进行基区注入及高温扩散，从而形成对应所述第二开口并延伸至所述第一多晶硅下方的基区浅结。

3.如权利要求2所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法还包括以下步骤：

在所述第一多晶硅及所述氧化硅层邻近所述基区浅结一侧形成隔离侧墙，在所述基区浅结上形成发射极多晶硅；

在所述氧化层、所述氧化硅层、所述隔离侧墙及所述发射极多晶硅上形成介质隔离层、贯穿所述介质隔离层及所述氧化层的第一通孔、贯穿所述介质隔离层及所述氧化硅层的第二通孔、贯穿所述介质隔离层的第三通孔、以及在所述介质隔离层上形成集电极、基极及发射极，所述集电极通过所述第一通孔连接所述N阱，所述基极通过所述第二通孔连接所述第一多晶硅，所述发射极通过所述第三通孔连接所述发射极多晶硅。

4.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：在所述氧化层及所述第一开口处的N型外延层上形成第一多晶硅的步骤中，所述第一多晶硅的厚度在100埃至300埃的范围内。

5.如权利要求4所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：对所述第一多晶硅进行表面氧化从而在所述第一多晶硅表面形成氧化硅层的步骤中，所述氧化硅层厚度在120埃至180埃的范围内。

6.如权利要求4所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：对所述第一多晶硅进行表面氧化从而在所述第一多晶硅表面形成氧化硅层的步骤中，所述热氧化消耗的第一多晶硅的厚度为100埃。

7.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述第二多晶硅的厚度在2000埃至3000埃的范围内。

8.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：利用光刻胶对所述氧化硅层进行光刻及腐蚀的步骤中，采用湿法腐蚀方式对所述氧化硅层进行光刻及腐蚀。

9.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：对所述第二多晶硅及所述第一多晶硅进行光刻与刻蚀的步骤中，采用湿法腐蚀方式对所述第二多晶硅及所述第一多晶硅进行光刻与刻蚀。

10.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：去除所述氧化物的步骤中，采用湿法腐蚀方式去除所述氧化物。