[发明专利]堆叠式存储器封装件、其制造方法和IC封装基板有效

专利信息
申请号: 201711370619.1 申请日: 2013-12-19
公开(公告)号: CN107978585B 公开(公告)日: 2020-05-26
发明(设计)人: A·费;E·R·博约;杨志平;吴忠华 申请(专利权)人: 苹果公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L25/065;H01L21/60
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 边海梅
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 堆叠 存储器 封装 制造 方法 ic
【说明书】:

本公开提供了堆叠式存储器封装件、其制造方法和IC封装基板。更具体而言,涉及用于堆叠式半导体存储器封装件的系统和方法。每个封装件可包括能够通过两个通道将数据传输到堆叠在封装件内的存储器裸片的集成电路(“IC”)封装基板。每个通道可位于IC封装基板的一侧上,并且来自每个通道的信号可从其相应侧引导到存储器裸片。

本申请是申请日为2013年12月19日、发明名称为“堆叠式存储器封装件、其制造方法和IC封装基板的插脚引线设计”的中国专利申请201380074494.1的分案申请。

技术领域

本公开涉及堆叠式存储器封装件、其制造方法和IC封装基板的插脚引线设计。

背景技术

各种类型的非易失性存储器(“NVM”)诸如闪存存储器(例如NAND闪存存储器和NOR闪存存储器)可被用于进行海量存储。例如,消费电子设备(例如便携式媒体播放器)使用闪存存储器来存储数据,包括音乐、视频、图像、和其它媒体或信息类型。消费电子工业中目前的趋势涉及在更小的设备中使用更多NVM,从而导致需要增加数据存储密度的创新封装方案。

发明内容

本发明提供了用于堆叠式半导体存储器设备的系统和方法。堆叠式半导体存储器封装件可包括封装基板和被布置成箭头形叠层的多个NVM裸片。NVM裸片叠层可用表面安装插座(诸如例如矩栅阵列(“LGA”))被安装在封装基板上并且通信地耦接到该封装基板。NVM裸片可以箭头形构型被堆叠在封装件内,其中一半的NVM裸片沿第一方向形成阶梯,并且一半的NVM裸片旋转180°并沿相反的第二方向继续所述堆叠。存储器控制器可经由印刷电路板(“PCB”)或印刷线路板(“PWB”)、封装基板、和引线键合所提供的电连接来与NVM裸片通信。

根据一些实施例,可与上述堆叠式半导体存储器设备一起使用新型表面安装插脚引线设计。插脚引线设计可被配置为通过例如使承载高速信号的连接的差分对之间的距离最小化、使引线键合长度最小化、避免封装件内高速信号的交叉、在高速引脚的中央提供接地(“GND”)引脚、以及将高速引脚和低速引脚分开来提高信号完整性。根据其他实施例,可优化高速引脚的放置,以改善每个单独NVM封装件内或在整个NVM系统上的信号完整性。表面安装插脚引线设计可适应两个通信通道,所述两个通信通道被配置为使得每个通道的相应引脚在旋转180°时对称地放置。

附图说明

本发明的上述及其他方面、其性质和各种特征将在考虑到下面结合附图进行的详细描述后变得更为显而易见,附图中相似的附图标记始终指示相似的部件,并且其中:

图1是示出根据各种实施例的包括主机和具有存储器控制器的NVM封装件的示例性系统的示意图;

图2为根据各种实施例的图1的NVM封装件的剖视图;

图3为根据各种实施例的原生NVM封装件的剖视图;

图4是根据各种实施例的示出插脚引线设计的表面安装封装基板的仰视平面图;

图5是根据各种实施例的示出另一插脚引线设计的表面安装封装基板的另一仰视平面图;并且

图6为根据各种实施例的用于制造堆叠式半导体存储器设备的方法的流程图。

具体实施方式

近年来随着每个集成电路(“IC”)所需要的互连数量已经增大超过了传统通孔IC封装件(例如双列直插式封装件(“DIP”)和针栅阵列(“PGA”))的能力,用于IC的表面安装封装件已经变得普及。表面安装IC封装件的示例包括球栅阵列(“BGA”)和矩栅阵列(“LGA”)。BGA或LGA可包括在封装基板的底表面上布置在x-y平面中的触点阵列。触点可被焊接到第二基板(诸如例如PCB或PWB)的相应触点。第二基板可包括用于向IC封装件承载信号的导电迹线和从IC封装件承载信号的导电迹线。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苹果公司,未经苹果公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711370619.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top