[发明专利]一种天线调谐电路

权利要求书

1.一种天线调谐电路，其特征在于，其包括:

天线；

多条射频通路，所述多条射频通路均包括一串联支路和一并联支路，所述串联支路的前端与其所在的所述射频通路的射频信号端口连接，所述串联支路的后端与所述天线连接，所述并联支路的前端与其所在的所述射频通路的射频信号端口连接，所述并联支路的后端接地；

所述串联支路和所述并联支路均包括多个从前至后依次串联的MOSFET晶体管；

当所述天线调谐电路被控制进入一种射频开关状态，使得一条所述射频通路中的串联支路导通、其余所述射频通路中的串联支路均断开，同步地，串联支路被导通的所述射频通路中的并联支路断开、其余所述射频通路中的并联支路导通。

2.如权利要求1所述的天线调谐电路，其特征在于，所述天线调谐电路包括多种射频开关状态，在不同的所述多种射频开关状态下，被导通的所述串联支路不同。

3.如权利要求1所述的天线调谐电路，其特征在于，所述多条射频通路均包括一串联信号控制端和一并联信号控制端，所述串联信号控制端与对应的所述串联支路连接并控制该所述串联支路的导通/断开，所述并联信号控制端与对应的所述并联支路连接并控制该所述并联支路的导通/断开。

4.如权利要求3所述的天线调谐电路，其特征在于：所述串联信号控制端和所述并联信号控制端通过输出高/低电平分别控制对应的所述串联支路和所述并联支路的导通/断开，当需要控制所述天线调谐电路进入一种所述射频开关状态时，对应的一个所述串联信号控制端输出高电平、其余的所述串联信号控制端均输出低电平，同步地，与输出高电平的所述串联信号控制端位于同一所述射频通路中的所述并联信号控制端输出低电平、其余的所述并联信号控制端均输出高电平。

5.如权利要求3所述的天线调谐电路，其特征在于：所述串联支路中，各所述MOSFET晶体管的漏极与位于其前端的所述MOSFET晶体管的源极或与其所在的所述射频通路的射频信号端口连接，各所述MOSFET晶体管的源极与位于其后端的所述MOSFET晶体管的漏级或所述天线连接，各所述MOSFET晶体管的栅极和衬底分别与对应的所述串联信号控制端连接，所述串联信号控制端控制各所述MOSFET晶体管的导通/断开；

所述串联支路中，各所述MOSFET晶体管的栅极宽度小于位于其后端的所述MOSFET晶体管的栅极宽度。

6.如权利要求5所述的天线调谐电路，其特征在于：各所述MOSFET晶体管的栅极与对应的所述串联信号控制端之间均串联有栅极电阻，各所述MOSFET晶体管的衬底与对应的所述串联信号控制端之间均串联有衬底电阻。

7.如权利要求3所述的天线调谐电路，其特征在于：所述并联支路中，各所述MOSFET晶体管的漏极与位于其前端的所述MOSFET晶体管的源极或与其所在的所述射频通路的射频信号端口连接，各所述MOSFET晶体管的源极与位于其后端的所述MOSFET晶体管的漏级或接地端连接，各所述MOSFET晶体管的栅极和衬底分别与对应的所述并联信号控制端连接。

8.如权利要求7所述的天线调谐电路，其特征在于：各所述MOSFET晶体管的栅极与对应的所述并联信号控制端之间均串联有栅极电阻，各所述MOSFET晶体管的衬底与对应的所述并联信号控制端之间均串联有衬底电阻。