[发明专利]一种天线调谐电路

说明书

本发明公开了一种天线调谐电路，其包括:天线；多条射频通路，所述多条射频通路均包括一串联支路和一并联支路，所述串联支路的前端与其所在的所述射频通路的射频信号端口连接，所述串联支路的后端与所述天线连接，所述并联支路的前端与其所在的所述射频通路的射频信号端口连接，所述并联支路的后端接地。其中：所述天线调谐电路被控制进入一种射频开关状态，使得一条所述射频通路的串联支路导通、其余所述射频通路的串联支路均断开，同步地，串联支路被导通的所述射频通路的并联支路断开、其余所述射频通路的并联支路导通。本发明大幅度地降低了各射频通路上的关断电容，最终提高了不同射频通路之间的隔离度、降低了不同频段之间的干扰。

技术领域

本发明涉及无线电通信领域，特别是涉及一种天线调谐电路。

背景技术

随着智能手机技术的飞速发展，一台手机可能有七八个甚至更多的天线，平均到每个天线的安装空间越来越小。另外，随着4G技术发展，通信工作频段增多，如何在狭小的空间内设计出带宽宽、效率高的手机天线变得越来越复杂。天线调谐开关有效地解决了上述问题。

天线调谐开关闭合时，其拥有低的导通电阻(RON)；天线调谐开关断开时，其拥有低的关断电容(COFF)和高的击穿电压(BV)。上述特性，使得天线调谐开关能够满足低插入损耗、高隔离度及高射频耐电压的三个要求。天线调谐开关工作在手机天线中的近场感应电压环境中时，其能够提高手机天线在调谐频段的Q值，使得手机天线在调频频段的效率和带宽得到提升，从而满足4G手机通信对多个频段的总辐射功率(TRP)和总全向灵敏度(TIS)的要求。

现阶段，大部分天线调谐开关由射频绝缘上硅(RF SOI)工艺制备而成。

此种天线调谐开关，其导通射频通路上的导通电阻(Ron)引入的低中频插入损耗(L/MB Insertion Loss)会降低天线在非调谐频段的Q值；其关断射频通路上寄生的关断电容(COFF)引入的中高频插损(M/HB Insertion Loss)则会降低全频段的隔离度。因此，为了保证天线所需的高谐振Q值，需要降低其导通射频通路上的导通电阻(Ron)及其关断射频通路上的关断电容(COFF)。此外，降低关断射频通路上的关断电容(COFF)，还能够提升天线的不同射频通路之间的隔离度，从而降低不同频段之间的干扰。

目前，为了降低天线的关断电容(COFF)，本领域内的主要途径是优化半导体设计及制备工艺，从而寻找最优或者是折中方案。但是，优化半导体设计及制备工艺的研发周期及成本非常高。本发明的发明人在长期的生产实践中发现，降低天线的关断电容(COFF)，除了优化半导体工艺之外，还可以通过电路拓扑设计加以实现。

发明内容

针对上述技术问题，本发明一方面提出了一种天线调谐电路，其具体技术方案如下：

天线；

多条射频通路，所述多条射频通路均包括一串联支路和一并联支路，所述串联支路的前端与其所在的所述射频通路的射频信号端口连接，所述串联支路的后端与所述天线连接，所述并联支路的前端与其所在的所述射频通路的射频信号端口连接，所述并联支路的后端接地；

所述串联支路包括多个从前至后依次串联的MOSFET晶体管，所述并联支路包括多个从前至后依次串联的MOSFET晶体管；

当所述天线调谐电路被控制进入一种射频开关状态，使得一条所述射频通路中的串联支路导通、其余所述射频通路中的串联支路均断开，同步地，串联支路被导通的所述射频通路中的并联支路断开、其余所述射频通路中的并联支路导通。