[发明专利]一种用于铝制程芯片的均匀去层方法有效
| 申请号： | 201711375704.7 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108091561B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 单书珊;乔彦彬;马强;李建强 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国家电网公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/67 |
| 代理公司： | 11279 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李晓康;张相午 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阻挡层 层厚度 刻蚀 金属布线层 刻蚀气体 布线层 除金属 芯片 铝制 橡皮 选择性刻蚀 边缘效应 介质通孔 速率确定 内表面 预设 | ||
1.一种用于铝制程芯片的均匀去层方法，该铝制程芯片的某一层结构中包括金属布线层、位于所述金属布线层外表面的第一阻挡层、位于所述金属布线层内表面的第二阻挡层以及包围在所述第一阻挡层、所述金属布线层和所述第二阻挡层的周围的介质通孔层，且该金属布线层的材料为铝，其特征在于，该均匀去层方法包括：
获取所述金属布线层的厚度信息、所述第一阻挡层的厚度信息、所述第二阻挡层的厚度信息以及所述第一阻挡层表面的介质通孔层的厚度信息；
根据第一计算式确定第一刻蚀时间t1，并在所述第一刻蚀时间t1内采用预设的刻蚀气体刻蚀所述介质通孔层和所述第一阻挡层，其中，所述第一计算式为：
其中，v1为所述刻蚀气体刻蚀所述介质通孔层的速率，v2为所述刻蚀气体刻蚀所述阻挡层的速率，d1为所述第一阻挡层表面的介质通孔层的厚度，d2为所述第一阻挡层的厚度，d3为所述金属布线层的厚度，d4为所述第二阻挡层的厚度；
利用橡皮磨除所述金属布线层；
采用所述刻蚀气体刻蚀掉所述第二阻挡层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀气体为包括CF4、CHF3、和O2的混合气体。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述CF4、CHF3、和O2的体积比为(20～60):(10～30):20。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，λ＝1.5。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用所述刻蚀气体刻蚀掉所述第二阻挡层包括：
根据第二计算式确定第二刻蚀时间t2，并在所述第二刻蚀时间t2内采用所述刻蚀气体刻蚀掉所述第二阻挡层，其中，所述第二计算式为
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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