[发明专利]基板及其制作方法、电子装置在审
申请号: | 201711376371.X | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN109935580A | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 皇甫鲁江;刘利宾;陈义鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 公共电极引线 衬底基板 基板 周边电路 工作区域 外轮廓边缘 电子装置 非工作区 周边区域 正投影 边框 等电子装置 非工作区域 宽度减小 显示装置 重合 绝缘 制作 占用 | ||
1.一种基板,包括:
衬底基板,包括工作区域、位于所述工作区域周边的非工作区域和外轮廓边缘;所述非工作区包括靠近所述工作区域的周边区域;
周边电路,设置于所述周边区域;以及
公共电极引线,沿所述衬底基板的至少部分外轮廓边缘设置;
其中,所述公共电极引线在所述衬底基板上的正投影与所述周边电路在所述衬底基板上的正投影至少部分重合,且所述公共电极引线与所述周边电路绝缘。
2.根据权利要求1所述的基板,还包括公共电极,其中,
所述公共电极由所述工作区域延伸至所述周边区域;
所述公共电极与所述公共电极引线电连接。
3.根据权利要求1所述的基板,还包括跨接导电层,其中,所述跨接导电层位于所述周边区域,与所述周边电路绝缘、延伸跨过所述周边电路且将所述公共电极引线和所述公共电极电连接。
4.根据权利要求3所述的基板,其中,所述跨接导电层与所述公共电极引线直接搭接以实现所述跨接导电层与所述公共电极引线电连接;
所述公共电极与所述跨接导电层一体成型;或者所述公共电极与所述跨接导电层直接搭接以实现所述公共电极与所述跨接导电层电连接。
5.根据权利要求1-4任一所述的基板,其中,所述周边电路包括外连部分,所述外连部分包括外连结点和外连导线;
所述周边区域包括远离所述工作区域的第一区域和靠近所述工作区域的第二区域;
所述外连结点设置于所述周边区域的第二区域,其中,所述外连结点在所述衬底基板上的正投影与所述公共电极引线在所述衬底基板上的正投影不重合。
6.根据权利要求5所述的基板,其中,所述外连结点位于所述公共电极引线的靠近所述衬底基板的外轮廓边缘的一侧。
7.根据权利要求5所述的基板,还包括层间绝缘层,其中,所述层间绝缘层设置于所述周边电路与所述公共电极引线之间,覆盖所述周边电路从而将所述周边电路与所述公共电极引线绝缘。
8.根据权利要求7所述的基板,其中,所述层间绝缘层包括暴露所述周边电路的外连结点的过孔,所述外连导线经由所述过孔与所述周边电路的外连结点电连接。
9.根据权利要求8所述的基板,其中,所述外连导线与所述公共电极引线的材料相同且同层设置。
10.根据权利要求5所述的基板,其中,所述周边电路包括:
至少一个薄膜晶体管,其中,所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极;
电容器,包括相对设置的第一极板和第二极板,所述第一极板和所述薄膜晶体管的栅极同层设置;
周边电路信号输出引线,配置为将所述周边电路的输出信号输出至所述工作区域;以及
连接线,包括第一部分;
其中,所述电容器的第二极板与所述薄膜晶体管的源极或漏极之间通过所述连接线的第一部分电连接;
所述外连结点、所述电容器的第二极板、所述连接线同层设置。
11.根据权利要求10所述的基板,其中,所述周边电路包括多个薄膜晶体管,所述连接线还包括第二部分和第三部分,其中,两个所述薄膜晶体管通过所述连接线的第二部分电连接;所述连接线的第三部分将所述薄膜晶体管的源极或漏极与所述周边电路信号输出引线电连接。
12.一种电子装置,包括权利要求1-11任一所述的基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的