[发明专利]一种太阳能电池片的制造工艺

说明书

本发明涉及太阳能技术领域，尤其是一种太阳能电池片的制造工艺，包括以下步骤：S1、检测；S2、制绒；S3、扩散制结；S4、去磷硅玻璃；S5、镀膜；S6、丝网印刷。本发明提供了一种新型太阳能电池片的制造工艺，简化了生产流程，易于实现，且能够有效提高生产效率，有助于太阳能产业发展。

技术领域

本发明涉及太阳能技术领域，尤其涉及一种太阳能电池片的制造工艺。

背景技术

随着社会和经济的飞速发展，能源的需要日益增加，化石能源的日趋枯竭和给生态环境造成的污染，严重威胁着社会和经济的可持续发展。因此，迫切需要采用可再生能源进行替代。太阳能作为一种取之不尽，用之不竭的绿色可再生能源，已经在世界范围内得到了广泛的关注。

太阳能电池原理主要是以半导体材料硅为基体，利用扩散工艺在硅晶体中掺入杂质：当掺入硼、磷等杂质时，硅晶体中就会存在着一个空穴，形成n型半导体；同样，掺入磷原子以后，硅晶体中就会有一个电子，形成p型半导体，p型半导体与n型半导体结合在一起形成pn结，当太阳光照射硅晶体后，pn结中n型半导体的空穴往p型区移动，而p型区中的电子往n型区移动，从而形成从n型区到p型区的电流，在pn结中形成电势差，这就形成了太阳能电池。

现有技术中的太阳能电池片生产工艺较为繁琐，效率较低，从而增加了电池片的成本。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种太阳能电池片的制造工艺。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

设计一种太阳能电池片的制造工艺，包括以下步骤：

S1、检测：对需要加工的硅片进行清洗和检测，去除不合格硅片；

S2、制绒：将经过检测的合格硅片放入碱性溶液中进行表面制绒处理；

S3、扩散制结：

A1、将制绒后的硅片放入扩散炉中，扩散炉中温度维持800-815℃，持续8min，同时向扩散炉中通入大氮、氧气和小氮的混合气体，小氮流量为3-4L/min，氧气流量为1-1.5L/min，大氮流量为8-10L/min；

A2、将扩散炉内的温度升高至825℃，之后保温10-15min，之后通入大氮、氧气和小氮的混合气体，混合气体流量为15-20L/min，氧气占混合气体的体积比为25-35%；

A3、在10min内使扩散炉中温度降低至750℃，在此过程中通入大氮、氧气的混合气体，氧气占混合气体的体积比为18-27%；

S4、去磷硅玻璃：将扩散制结后的硅片放入氢氟酸中浸泡，以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃；

S5、镀膜：通过PECVD设备在硅片表面制备减反射膜；

S6、丝网印刷：将镀有减反射膜的硅片采用丝网印刷的方式在硅片的上下表面印制正、负电极；

S7、烘干及烧结。

优选的，清洗过程为将硅片先放入氢氧化钠溶液中浸泡10-12min、之后放入硝酸溶液中浸泡12-15min、之后放入氢氟酸溶液中浸泡5-8min。

优选的，氢氧化钠溶液浓度为6%、硝酸溶液浓度为1%、氢氟酸溶液浓度为1.2%。

优选的，镀减反射膜的厚度为70-75nm。

优选的，碱性制绒溶液为NaOH、Na2SiO3、IPA的混合溶液。

优选的，扩散制结中，采用的扩散源为POCl3。