[发明专利]一种CZTS薄膜的新型退火方式在审
| 申请号： | 201711378464.6 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN107946387A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 张险峰;陈庆武;张成 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学中山学院 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/032 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人： | 肖平安 |
| 地址： | 528400 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 czts 薄膜 新型 退火 方式 | ||
【权利要求书】：
1.一种CZTS薄膜的新型退火方式，其特征在于：包括有以下步骤：
(1)将0.5g粉末硫置于单端封闭之玻璃管的封闭侧，并将CZTS薄膜置于玻璃管内并靠近玻璃管的开放端，将玻璃管的开放端连接于橡胶管；
(2)开启机械泵，开启三方向阀门，对玻璃管进行抽真空，使空气沿着一个方向流动，当玻璃管内的压力低于1Pa时，切换三方向阀门方向，打开主阀使气流沿着另一方向经扩散泵流动；
(3)当玻璃管内压力低于3.0×10-3Pa时，打开加热源对玻璃管的开放端进行加热，熔化的玻璃管在内外压力差的作用下向内塌陷，最后完全封闭，所得到的退火样品；
(4)将得到的退火样品放于退火炉内，进行退火。
2.如权利要求1所述的一种CZTS薄膜的新型退火方式，其特征在于：所述步骤(4)中退火时，线性升温至575℃，升温时间为40分钟，然后保温1.5h，接着依次进行一次降温和二次降温，二次降温速率大于一次降温速率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
