[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201711379402.7 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108122737A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 金绍彤;方桂芹;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/033 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体装置 应力调节层 衬底 硬掩模层 制造 施加 | ||
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成应力调节层；以及
在所述应力调节层上形成硬掩模层；
其中，所述应力调节层与所述硬掩模层对所述衬底施加相反的应力。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
图案化所述硬掩模层和所述应力调节层；以及
利用图案化的硬掩模层和应力调节层对所述衬底进行蚀刻。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述硬掩模层对所述衬底施加压应力；并且
所述应力调节层对所述衬底施加拉应力。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述硬掩模层包括下列材料中的一种或多种：无定形碳、金属或其氧化物、氮化物、氟化物、碳化物、硼化物。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述应力调节层包括下列材料中的一种或多种：氮化硅、碳化硅、硅锗。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述硬掩模层的厚度为大于或等于
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述应力调节层的厚度为
8.根据权利要1所述的方法，其特征在于：
形成所述应力调节层包括：
在所述衬底上形成中间材料层；以及
对所述中间材料层进行应力增强处理以得到所述应力调节层。
9.根据权利要8所述的方法，其特征在于：
通过以下处理中的一种或多种形成所述中间材料层：
亚常压化学气相沉积、低压化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积、炉管生长。
10.根据权利要8所述的方法，其特征在于：
通过以下处理中的一种或多种对所述中间材料层进行所述应力增强处理：氮气氛围下的等离子体处理、紫外光照射。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
