[发明专利]多面发光的芯片级封装LED及其制作方法、背光模组

说明书

本发明提供一种多面发光的芯片级封装LED及其制作方法、背光模组，该芯片级封装LED包括倒装LED芯片，将倒装LED芯片正面发光面和相对的两个侧面发光面覆盖的发光转换胶层，将另外两个侧面发光面覆盖的反射胶层，即该芯片级封装LED包括三个发光面，相比现有只包括一个发光面的芯片级封装LED，该多面发光的芯片级封装LED能减弱芯片级封装LED之间出现暗区的现象；本发明提供的包括上述多面发光的芯片级封装LED的背光模组，相比现有背光模组，在相同效果下可减少芯片级封装LED的数量，降低制造成本；本发明提供的多面发光的芯片级封装LED的制作方法，可以制作出上述多面发光的芯片级封装LED。

技术领域

本发明涉及LED领域，尤其涉及一种多面发光的芯片级封装LED的制作方法。

背景技术

随着CSP LED(Chip Scale Package Light Emitting Diode，芯片级封装发光二极管)器件的发展，芯片级封装LED的应用环境也越来越多，市场对芯片级封装LED的要求也越来越高。

目前，请参见图1，芯片级封装LED包括倒装LED芯片101、荧光胶层102和反射白胶层103。因此，现有芯片级封装LED只有顶部发光，其侧面并不能发光，但由于芯片级封装LED之间必然存在一定的间隔，这就造成芯片级封装LED之间存在明显的暗区，为了消除芯片级封装LED之间的暗区，现有技术中通过采用密集设置LED器件以降低芯片级封装LED之间的距离，并通过专有的透镜设计或使用特殊扩散板来消除暗区达到理想的显示效果，这就导致制作模组所需芯片级封装LED的数量无法降低，因此模组产品的成本也无法降低。

发明内容

本发明实施例提供一种多面发光的芯片级封装LED及其制作方法、背光模组，主要解决的技术问题是：现有为消除单面发光芯片级封装LED之间的暗区采用密布置芯片级封装LED并结合透镜设计或使用特殊扩散板导致结构复杂、成本高的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种多面发光的芯片级封装LED的制作方法，包括：

在底膜上排列设置至少一列倒装LED芯片；

在所述底膜上形成覆盖所述倒装LED芯片正面发光面和侧面发光面的发光转换胶层；

将所述底膜上各列倒装LED芯片左右两侧的发光转换胶层去除；

在所述各列倒装LED芯片左右两侧形成对所述倒装LED芯片侧面发光面发出的光进行反射的反射胶层；

对所述各列倒装LED芯片进行切割得到分离的芯片级封装LED。

可选的，将所述底膜上各列倒装LED芯片左右两侧的发光转换胶层去除包括：

沿所述各列倒装LED芯片的列方向切割所述发光转换胶层；

在所述发光转换胶层上方贴附第一粘性膜，并去除所述底膜；

在所述倒装LED芯片底部贴附第二粘性膜；

去除所述第一粘性膜，所述第一粘性膜被去除时所述各列倒装LED芯片左右两侧的发光转换胶层被粘在所述第一粘性膜上随所述第一粘性膜一起去除，以在所述各列倒装LED芯片左右两侧形成缝隙。

可选的，在所述各列倒装LED芯片左右两侧形成对所述倒装LED芯片侧面发光面发出的光进行反射的反射胶层包括：

在所述各列倒装LED芯片左右两侧的缝隙内灌反射胶；

将所述反射胶进行固化得到反射胶层。

可选的，在所述各列倒装LED芯片左右两侧的缝隙内灌反射胶包括：

在所述发光转换胶层上面贴附第三粘性膜；

从所述第二粘性膜和所述第三粘性膜之间灌反射胶，所述反射胶填满所述缝隙。