[发明专利]一种NMOS开关管驱动电路

权利要求书

1.一种NMOS开关管驱动电路，其特征在于，包括：

NMOS开关管，所述NMOS开关管的漏极电连接电源输入端，所述NMOS开关管的源极电连接负载；

用于为所述NMOS开关管的栅极提供开启电压、且采用所述NMOS开关管的源极为供电电源端的升压开启模块；所述升压开启模块输出使所述NMOS开关管能够启动的开启电压，且在所述NMOS开关管开启后输出所述开启电压和所述NMOS开关管的源极电压的叠加电压；

设置于所述升压开启模块与所述NMOS开关管的栅极之间的延迟模块，用于控制所述NMOS开关管的开启时间；

以及，用于在所述NMOS开关管关断时释放所述NMOS开关管的栅极和源极的电荷的放电模块。

2.根据权利要求1所述的NMOS开关管驱动电路，其特征在于，所述NMOS开关管驱动电路还包括：

设置于所述NMOS开关管的栅极和源极之间的VGS保护电路。

3.根据权利要求1所述的NMOS开关管驱动电路，其特征在于，所述升压开启模块包括：

电荷泵，所述电荷泵的输入端接入时钟信号，所述电荷泵的供电电源端与所述NMOS开关管的源极电连接。

4.根据权利要求1所述的NMOS开关管驱动电路，其特征在于，所述延迟模块包括：

第一电阻，所述第一电阻的一端与所述升压开启模块的输出端电连接，且所述第一电阻的另一端与所述NMOS开关管的栅极电连接，其中，所述第一电阻与所述NMOS开关管的寄生栅源电容形成RC延迟电路。

5.根据权利要求1所述的NMOS开关管驱动电路，其特征在于，所述放电模块包括：

第一开关、第二开关和第二电阻；

所述第一开关的一端电连接接地端，所述第一开关的另一端电连接所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端电连接所述NMOS开关管的栅极；

所述第二开关的一端电连接所述NMOS开关管的栅极，所述第二开关的另一端电连接所述NMOS开关管的源极。

6.根据权利要求1所述的NMOS开关管驱动电路，其特征在于，所述放电模块包括：

第一开关、第二开关和第二电阻；

所述第一开关的一端电连接接地端，所述第一开关的另一端电连接所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端电连接所述NMOS开关管的源极；

所述第二开关的一端电连接所述NMOS开关管的栅极，所述第二开关的另一端电连接所述NMOS开关管的源极。

7.根据权利要求5或6所述的NMOS开关管驱动电路，其特征在于，所述第一开关和所述第二开关均为开关管。

8.根据权利要求2所述的NMOS开关管驱动电路，其特征在于，所述VGS保护电路包括：

齐纳二极管，所述齐纳二极管的阳极电连接所述NMOS开关管的源极，所述齐纳二极管的阴极电连接所述NMOS开关管的栅极。

9.根据权利要求2所述的NMOS开关管驱动电路，其特征在于，所述VGS保护电路包括：

第一齐纳二极管和第二齐纳二极管；

所述第一齐纳二极管的阴极和所述第二齐纳二极管的阴极电连接，所述第一齐纳二极管的阳极电连接所述NMOS开关管的源极，所述第二齐纳二极管的阳极电连接所述NMOS开关管的栅极。

10.根据权利要求2所述的NMOS开关管驱动电路，其特征在于，所述VGS保护电路包括：

齐纳二极管和PMOS开关管；

所述齐纳二极管的阴极电连接所述NMOS开关管的栅极，所述齐纳二极管的阳极电连接所述PMOS开关管的源极，所述PMOS开关管的栅极和漏极均电连接所述NMOS开关管的源极。