[发明专利]一种NMOS开关管驱动电路

说明书

本发明公开了一种NMOS开关管驱动电路，通过升压开启模块输出使NMOS开关管能够启动的开启电压，在NMOS开关管开启后输出开启电压和NMOS开关管的源极电压的叠加电压；通过对升压开启模块的关断控制对NMOS开关管的关断，在NMOS开关管关断后通过放电模块对NMOS开关管的栅极和源极的电荷进行释放，达到快速关断NMOS开关管的目的；在上述控制NMOS开关管正常开启和关断基础上，通过延迟模块能够有效控制升压开启模块输出电压至NMOS开关管的栅极的时间，进而有效控制NMOS开关管的开启时间，使得NMOS开关管达到缓慢开启的目的，避免出现传输较大的浪涌电流流入其连接的负载的情况，避免对负载造成损伤。

技术领域

本发明涉及NMOS(Negative channel Metal Oxide Semiconductor，N型金属氧化物半导体)开关管的驱动技术领域，更为具体的说，涉及一种NMOS开关管驱动电路。

背景技术

在电子系统中，负载开关(load switch)一般用于对两个端口之间进行连接或隔离，例如切断或连通电源。负载开关可以与其控制电路集成在同一片IC(IntegratedCircuit，集成电路)上，也可以是分立元件。MOSFET(metal oxide semiconductor fieldeffect transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的负载开关，有P型和N型之分。由于NMOS开关管的迁移率比PMOS(positive channel Metal OxideSemiconductor，P型金属氧化物半导体)开关管高，即在同等面积下，NMOS的导通阻抗比PMOS低，因此NMOS开关管是一种更优的负载开关。但是，现有NMOS开关管作为负载开关时，经常出现传输较大的浪涌电流流入其连接的负载的情况，进而会对负载造成一定损伤。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种NMOS开关管驱动电路，通过升压开启模块输出使NMOS开关管能够启动的开启电压，且在NMOS开关管开启后输出开启电压和NMOS开关管的源极电压的叠加电压；以及，通过对升压开启模块的关断控制对NMOS开关管的关断，且在NMOS开关管关断后通过放电模块对NMOS开关管的栅极和源极的电荷进行释放，达到快速关断NMOS开关管的目的；在上述控制NMOS开关管正常开启和关断基础上，通过设置于NMOS开关管的栅极和升压开启模块之间的延迟模块，能够有效控制升压开启模块输出电压至NMOS开关管的栅极的时间，进而有效控制NMOS开关管的开启时间，使得NMOS开关管达到缓慢开启的目的，避免出现传输较大的浪涌电流流入其连接的负载的情况，进而避免对负载造成损伤。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种NMOS开关管驱动电路，包括：

NMOS开关管，所述NMOS开关管的漏极电连接电源输入端，所述NMOS开关管的源极电连接负载；

用于为所述NMOS开关管的栅极提供开启电压、且采用所述NMOS开关管的源极为供电电源端的升压开启模块；

设置于所述升压开启模块与所述NMOS开关管的栅极之间的延迟模块，用于控制所述NMOS开关管的开启时间；

以及，用于在所述NMOS开关管关断时释放所述NMOS开关管的栅极和源极的电荷的放电模块。

可选的，所述NMOS开关管驱动电路还包括：

设置于所述NMOS开关管的栅极和源极之间的VGS保护电路。

可选的，所述升压开启模块包括：

电荷泵，所述电荷泵的输入端接入时钟信号，所述电荷泵的供电电源端与所述NMOS开关管的源极电连接。

可选的，所述延迟模块包括：