[发明专利]一种LED芯片

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括，

衬底层(11)；

灯芯层，所述灯芯层包括生长在所述衬底层(11)上的蓝光外延层，所述蓝光外延层中分别设置相邻的红光灯芯槽和绿光灯芯槽，所述红光灯芯槽内设置红光外延层，所述绿光灯芯槽内设置绿光外延层；

所述蓝光外延层、红光外延层和绿光外延层的上表面设置增透膜(1001)；

电极，所述电极包括上电极(51)和下电极(52)，所述上电极(51)设置在所述增透膜(1001)上。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述蓝光外延层自下向上依次包括：GaN缓冲层(101)、GaN稳定层(102)、掺Si的n型GaN层(103)、由InGaN/GaN多量子阱结构形成的有源层(104)、p型AlGaN阻挡层(105)、p型GaN接触层(106)。

3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述红光外延层自下向上依次包括：GaN缓冲层(401)、n型GaAs缓冲层(402)、n型GaAs稳定层(403)、由GalnP/A1GaInP多量子阱结构形成的有源层(404)、p型A1GaInP阻挡层(405)和p型GaAs接触层(406)；

所述绿光外延层自下向上依次包括：GaN缓冲层(201)、n型GaAs缓冲层(202)、n型GaAs稳定层(203)、由GalnP/A1GaInP多量子阱结构形成的有源层(204)、p型A1GaInP阻挡层(205)和p型GaAs接触层(206)。

4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述红光灯芯槽和所述绿光灯芯槽相连接，且所述红光灯芯槽和所述绿光灯芯槽分别以所述蓝光外延层的所述GaN缓冲层(101)为槽底。

5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述上电极(51)分别设置在所述蓝光外延层、所述红光外延层和所述绿光外延层所在区域对应的增透膜(1001)的上表面；

所述下电极(52)设置于所述蓝光外延层的所述GaN稳定层(102)上。

6.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述蓝光外延层上、所述红光灯芯槽内和所述绿光灯芯槽内分别设置一对上电极(51)和下电极(52)。

7.根据权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述增透膜(1001)为TiO2材料制成，且所述增透膜(1001)的厚度为透射光波长的1/4。

8.根据权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述红光灯芯槽和所述绿光灯芯槽为矩形槽，边长的范围为：大于50微米，小于300微米。

9.根据权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述红光灯芯槽的槽壁和所述绿光灯芯槽的槽壁均由SiO2层构成，所述SiO2层的厚度介于20-100纳米之间。

10.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述由InGaN/GaN多量子阱结构形成的有源层(104)中，所述InGaN的厚度范围为1.5-3.5纳米，其中In的含量范围为10-20％；所述GaN的厚度范围为5-10纳米。