[发明专利]一种LED芯片

说明书

本发明涉及一种LED芯片，其中包括，衬底层(11)；灯芯层，所述灯芯层包括生长在所述衬底层(11)上的蓝光外延层，所述蓝光外延层中分别设置相邻的红光灯芯槽和绿光灯芯槽，所述红光灯芯槽内设置红光外延层，所述绿光灯芯槽内设置绿光外延层，所述蓝光外延层、红光外延层和绿光外延层的上表面设置增透膜，电极，所述电极包括上电极(51)和下电极(52)，所述上电极(51)设置在所述增透膜上。本实施例通过将蓝光外延层、红光外延层和绿光外延层集成在衬底层上，蓝色、红色和绿色三色光直接混合发出白光，而不需要增加荧光粉胶层，解决了现有技术中，荧光粉胶层导致光线被反射和吸收的技术问题，其取光效率更高，发光效果更好。

技术领域

本发明属于光电器件技术领域，具体涉及一种LED芯片。

背景技术

LED灯是目前世界范围市场上广泛使用的照明灯具，具有体积小，亮度高，耗电量低，发热少，使用寿命长，环保等优点，并且具有丰富多彩的颜色种类，在照明、显示等领域有广泛的应用前景，深受消费者的喜爱。

常见的LED芯片构成主要是蓝光LED+黄色荧光粉，RGB三色LED或者紫外LED+多色荧光粉，但是该些LED芯片中，由于使用了荧光粉，光线照射到荧光粉颗粒时会出现强烈的散射现象，这种散射使得光线被荧光粉胶层吸收，而且导致大量光线被反射，使得LED芯片的取光效率较低。

因此，世界各大LED芯片厂家一直致力于研制高光效的芯片结构。

发明内容

针对以上存在的问题，本发明提出了一种LED芯片，具体的实施方式如下。

本发明实施例提供一种LED芯片，其中包括，

衬底层11；

灯芯层，所述灯芯层包括生长在所述衬底层11上的蓝光外延层，所述蓝光外延层中分别设置相邻的红光灯芯槽和绿光灯芯槽，所述红光灯芯槽内设置红光外延层，所述绿光灯芯槽内设置绿光外延层；

所述蓝光外延层、红光外延层和绿光外延层的上表面设置增透膜1001；电极，所述电极包括上电极51和下电极52，所述上电极51设置在所述增透膜1001上。

在本发明的一个实施例中，所述蓝光外延层自下向上依次包括：GaN缓冲层101、GaN稳定层102、掺Si的n型GaN层103、由InGaN/GaN多量子阱结构形成的有源层104、p型AlGaN阻挡层105、p型GaN接触层106。

在本发明的一个实施例中，所述红光外延层自下向上依次包括：GaN缓冲层401、n型GaAs缓冲层402、n型GaAs稳定层403、由GalnP/A1GaInP多量子阱结构形成的有源层404、p型A1GaInP阻挡层405和p型GaAs接触层406；

所述绿光外延层自下向上依次包括：GaN缓冲层201、n型GaAs缓冲层202、n型GaAs稳定层203、由GalnP/A1GaInP多量子阱结构形成的有源层204、p型A1GaInP阻挡层205和p型GaAs接触层206。

在本发明的一个实施例中，所述红光灯芯槽和所述绿光灯芯槽相连接，且所述红光灯芯槽和所述绿光灯芯槽分别以所述蓝光外延层的所述GaN缓冲层101为槽底。

在本发明的一个实施例中，所述上电极51分别设置在所述蓝光外延层、所述红光外延层和所述绿光外延层所在区域对应的增透膜1001的上表面；

所述下电极52设置于所述蓝光外延层的所述GaN稳定层102上。

在本发明的一个实施例中，所述蓝光外延层上、所述红光灯芯槽内和所述绿光灯芯槽内分别设置一对上电极51和下电极52。

在本发明的一个实施例中，所述增透膜1001为TiO2材料制成，且所述增透膜1001的厚度为透射光波长的1/4。