[发明专利]芯片级封装半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201711383469.8 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109950214A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 骆俊杰;邓添禧 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾丽波;张娜 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 主表面 半导体晶片 半导体器件 模塑材料 芯片级封装 穿过 主表面延伸 暴露 封装 制造 侧面 | ||
1.一种芯片级封装半导体器件，包括：
半导体晶片，其具有第一主表面和相对的第二主表面，所述半导体晶片包括布置在所述第二主表面上的至少两个端子；
载体，其包括第一主表面和相对的第二主表面，
其中所述半导体晶片的第一主表面被安装在所述载体的相对的第二主表面上；以及
模塑材料，其部分地封装所述半导体晶片和所述载体，其中所述载体的第一主表面延伸并穿过模塑材料而暴露，并且所述至少两个端子在所述器件的第二侧面上穿过模塑材料而暴露。
2.根据权利要求1所述的芯片级封装半导体器件，其中所述载体在所述器件的相对侧壁上延伸并穿过所述模塑材料而暴露。
3.根据权利要求1所述的芯片级封装半导体器件，其中所述载体的第一主表面与所述器件的顶部主表面上的模塑材料共面。
4.根据前述权利要求中任一项所述的芯片级封装半导体器件，其中所述载体的相对的第二主表面被布置为所述载体中的凹陷。
5.根据权利要求4所述的芯片级封装半导体器件，其中所述凹陷被布置为可安装地接收所述半导体晶片。
6.根据权利要求4所述的芯片级封装半导体器件，其中所述凹陷被布置为接收用于将所述半导体晶片安装到所述载体的粘合剂层。
7.根据前述权利要求中任一项所述的芯片级封装半导体器件，其中所述封装半导体器件的顶部主表面包括所述载体，并且所述封装半导体器件的第二相对主表面包括所述端子和所述模塑材料。
8.一种制造芯片级封装半导体器件的方法，所述方法包括：
提供具有第一主表面和相对的第二主表面的半导体晶片，所述半导体晶片包括布置在所述第二主表面上的至少两个端子；
提供包括第一主表面和相对的第二主表面的载体；
将所述半导体晶片的第一主表面安装到所述载体的相对的第二主表面上；
将所述半导体晶片和所述载体部分地封装在模塑材料中，其中所述载体的第一主表面延伸并穿过模塑材料而暴露，并且所述至少两个端子在所述器件的第二侧面上穿过模塑材料而暴露。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述半导体晶片和所述载体被封装，使得所述载体的第一主表面与所述器件的顶部主表面上的模塑材料共面。
10.根据权利要求8或9所述的方法，其中所述半导体晶片的第一主表面被安装在布置在所述载体的相对的第二主表面上的凹陷中。
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