[发明专利]闪存芯片的性能测试方法、装置、设备及存储介质

权利要求书

1.一种闪存芯片的性能测试方法，其特征在于，包括：

基于预设的选取规则选取闪存芯片的性能测试样本，根据所述性能测试样本对所述闪存芯片进行编程/擦除测试；

当检测到所述编程/擦除测试完成时，根据所述性能测试样本对所述闪存芯片进行读干扰测试；

当检测到所述读干扰测试完成时，根据所述性能测试样本对所述闪存芯片进行数据保留测试；

所述基于预设的选取规则选取闪存芯片的性能测试样本，包括：获取闪存芯片的各存储翼中编号相同的存储块作为一组目标存储块集合；获取至少两组编号互不连续的目标存储块集合作为性能测试样本；

所述根据所述性能测试样本对所述闪存芯片进行编程/擦除测试，包括：

根据预先设置的各组所述目标存储块集合的目标编程/擦除次数，确定各组目标编程/擦除次数之间的对应关系；所述各组目标编程/擦除次数不同；

根据所述对应关系确定各所述存储块的擦除顺序，依照所述擦除顺序对所述闪存芯片进行编程/擦除测试；

其中，不同所述存储块中每次编程/擦除中写入的数据不同，且同一所述存储块在每次编程/擦除时写入的数据不同；

所述根据所述性能测试样本对所述闪存芯片进行读干扰测试，包括：

读取所述性能测试样本中各所述存储块中的数据；

当检测到所述性能测试样本中各所述存储块中的数据均完成一次读操作时，则确认所述闪存芯片完成一次读循环；

如果检测到当前读循环的次数达到预设的读循环阈值，则获取读取错误的比特位数的数目，并进行记录；

返回执行读取所述性能测试样本中各所述存储块中的数据的操作，直至当前读循环次数达到预设的最高读循环次数；

所述根据所述性能测试样本对所述闪存芯片进行数据保留测试包括：

将所述性能测试样本放置于达到预设温度的环境中，记录所述闪存芯片中数据保留的时间。

2.一种闪存芯片的性能测试装置，其特征在于，包括：

编程/擦除测试模块，用于基于预设的选取规则选取闪存芯片的性能测试样本，根据所述性能测试样本对所述闪存芯片进行编程/擦除测试；

读干扰测试模块，用于当检测到所述编程/擦除测试完成时，根据所述性能测试样本对所述闪存芯片进行读干扰测试；

数据保留测试模块，用于当检测到所述读干扰测试完成时，根据所述性能测试样本对所述闪存芯片进行数据保留测试；

所述编程/擦除测试模块还用于：

获取闪存芯片的各存储翼中编号相同的存储块作为一组目标存储块集合；

获取至少两组编号互不连续的目标存储块集合作为性能测试样本；

所述数据保留测试模块，还用于将所述性能测试样本放置于达到预设温度的环境中，记录所述闪存芯片中数据保留的时间；

所述编程/擦除测试模块还用于：

根据预先设置的各组所述目标存储块集合的目标编程/擦除次数，确定各组目标编程/擦除次数之间的对应关系；所述各组目标编程/擦除次数不同；

根据所述对应关系确定各所述存储块的擦除顺序，依照所述擦除顺序对所述闪存芯片进行编程/擦除测试；

其中，不同所述存储块中每次编程/擦除中写入的数据不同，且同一所述存储块在每次编程/擦除时写入的数据不同；

所述装置中的读干扰测试模块还用于：

读取所述性能测试样本中各所述存储块中的数据；当检测到所述性能测试样本中各所述存储块中的数据均完成一次读操作时，则确认所述闪存芯片完成一次读循环；

如果检测到当前读循环的次数达到预设的读循环阈值，则获取读取错误的比特位数的数目，并进行记录；返回执行读取所述性能测试样本中各所述存储块中的数据的操作，直至当前读循环次数达到预设的最高读循环次数。

3.一种电子设备，其特征在于，所述设备包括：

一个或多个处理器；

存储装置，用于存储一个或多个程序，

当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现如权利要求1所述的闪存芯片的性能测试方法。

4.一种包含计算机可执行指令的存储介质，其特征在于，所述计算机可执行指令在由计算机处理器执行时用于执行如权利要求1所述的闪存芯片的性能测试方法。