[发明专利]闪存芯片的性能测试方法、装置、设备及存储介质

说明书

本发明公开了一种闪存芯片的性能测试方法、装置、设备及存储介质。该方法包括：基于预设的选取规则选取闪存芯片的性能测试样本，根据性能测试样本对闪存芯片进行编程/擦除测试；当检测到编程/擦除测试完成时，根据性能测试样本对闪存芯片进行读干扰测试；当检测到读干扰测试完成时，根据性能测试样本对闪存芯片进行数据保留测试。本发明实施例的技术方案，解决了现有技术中没有统一的闪存性能测试流程的问题，实现了便捷地实现闪存性能的测试的效果。

技术领域

本发明实施例涉及存储器技术领域，尤其涉及一种闪存芯片的性能测试方法、装置设备及计算机存储介质。

背景技术

Nand Flash因为大容量与改写速度快而越来越受到存储行业的青睐。市场常用的存储设备如U盘，SSD等设备内部结构都是由Nand Flash闪存颗粒和控制器组成。控制器中的固件在开发过程中要密切联系所用的闪存颗粒。

在开发基于闪存颗粒的芯片时，首先的流程通常都是测试闪存颗粒的一些基本功能与特性，从而在固件开发工程中做出一些针对性的措施。对Nand Flash的研究需要了解各个参数的影响，同时要了解它们的综合影响。一般地，技术人员都会对Nand Flash闪存颗粒的主要特性参数进行测试，但目前没有一个统一的测试方法和标准流程。

发明内容

本发明提供了一种闪存芯片的性能测试方法、装置及计算机存储介质，以解决没有统一的闪存性能测试流程的问题，能够便捷地实现闪存性能的测试。

第一方面，本发明实施例提供了一种闪存芯片的性能测试方法，该方法包括：

基于预设的选取规则选取闪存芯片的性能测试样本，根据所述性能测试样本对所述闪存芯片进行编程/擦除测试；

当检测到所述编程/擦除测试完成时，根据所述性能测试样本对所述闪存芯片进行读干扰测试；

当检测到所述读干扰测试完成时，根据所述性能测试样本对所述闪存芯片进行数据保留测试。

进一步的，所述基于预设的选取规则选取闪存芯片的性能测试样本，包括：

获取闪存芯片的各存储翼中编号相同的存储块作为一组目标存储块集合；

获取至少两组编号互不连续的目标存储块集合作为性能测试样本。

进一步的，所述根据所述性能测试样本对所述闪存芯片进行编程/擦除测试，包括：

根据预先设置的各组所述目标存储块集合的目标编程/擦除次数，确定各组目标编程/擦除次数之间的对应关系；所述各目标编程/擦除次数不同；

根据所述对应关系确定各所述存储块的擦除顺序，依照所述擦除顺序对所述闪存芯片进行编程/擦除测试；

其中，不同所述存储块中每次编程/擦除中写入的数据不同，且同一所述存储块在每次编程/擦除时写入的数据不同。

进一步的，所述根据所述性能测试样本对所述闪存芯片进行读干扰测试，包括：

读取所述性能测试样本中各所述存储块中的数据；

当检测到所述性能测试样本中各所述存储块中的数据均完成一次读操作时，则确认所述闪存芯片完成一次读循环；

如果检测到当前读循环的次数达到预设的读循环阈值，则获取读取错误的比特位数的数目，并进行记录；

返回执行读取所述性能测试样本中各所述存储块中的数据的操作，直至当前读循环次数达到预设的最高读循环次数。

进一步的，所述根据所述性能测试样本对所述闪存芯片进行数据保留测试包括：

将所述性能测试样本放置于达到预设温度的环境中，记录所述闪存芯片中数据保留的时间。