[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；

在所述衬底上形成介质层；

在所述第一区域介质层中形成第一接触孔，所述第一接触孔底部暴露出所述衬底；

在所述第一接触孔底部暴露出的衬底中形成第一源漏掺杂层，所述第一源漏掺杂层中具有第一掺杂离子；

在所述第一源漏掺杂层表面形成第一金属化物；

形成第一金属化物之后，在所述第二区域介质层中形成第二接触孔，所述第二接触孔底部暴露出所述衬底；

在所述第二接触孔底部暴露出的衬底中形成第二源漏掺杂层，所述第二源漏掺杂层中具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反；

在所述第二源漏掺杂层表面形成第二金属化物，所述第二金属化物与所述第一金属化物的材料不相同；

形成所述第一金属化物之后，在所述第一接触孔中形成第一插塞；

形成所述第二金属化物之后，在所述第二接触孔中形成第二插塞。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂离子为N型离子；所述第二掺杂离子为P型离子；所述第一金属化物的材料为TiSi；所述第二金属化物的材料为PtSi、NiPtSi或NiSi；所述第一金属化物的厚度为30埃~200埃，所述第二金属化物的厚度为30埃~150埃；

或者，所述第一掺杂离子为P型离子；所述第二掺杂离子为N型离子；所述第一金属化物的材料为PtSi、NiPtSi或NiSi；所述第二金属化物的材料为TiSi；所述第一金属化物的厚度为30埃~150埃，所述第二金属化物的厚度为30埃~200埃。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一源漏掺杂层的步骤包括：对所述第一接触孔底部暴露出的衬底进行第一刻蚀，在所述第一区域衬底中形成第一凹槽；在所述第一凹槽中形成第一源漏掺杂层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一凹槽的工艺包括干法刻蚀工艺，形成所述第一凹槽的工艺参数包括：刻蚀气体包括：CH₄和CHF₃中的一种或两种组合，其中，CH₄的流量为8sccm~500sccm，CHF₃的流量为30sccm~200sccm，射频功率为100W~1300W，偏置电压为80V~500V，刻蚀时间为4s~500s，气体压强为10mtorr~2000mtorr。

5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一接触孔的宽度为15nm~80nm；所述第一凹槽的深度为20nm~100nm；所述第一接触孔的深宽比为20:1~100:1。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一源漏掺杂层的步骤包括：通过第一离子注入在所述第一接触孔底部暴露出的衬底中注入所述第一掺杂离子，形成第一源漏掺杂层。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二源漏掺杂层的步骤包括：对所述第二接触孔底部暴露出的衬底进行第二刻蚀，在所述第二区域衬底中形成第二凹槽；在所述第二凹槽中形成第二源漏掺杂层；

或者，形成所述第二源漏掺杂层的步骤包括：通过第二离子注入在所述第二接触孔底部暴露出的衬底中注入所述第二掺杂离子，形成第二源漏掺杂层。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一接触孔的步骤包括：在所述第二区域介质层和部分第一区域介质层上形成图形化的第一图形层；以所述第一图形层为掩膜对所述介质层进行刻蚀，形成所述第一接触孔。