[发明专利]一种电子元件及其制造方法

权利要求书

1.一种电子元件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：采用黄光光刻的工艺在有机薄膜上制作电极，电极的线宽及线间距小于或等于15μm，其中所述黄光光刻的工艺包括印刷、曝光、显影步骤；所述有机薄膜采用一种特定的薄膜，在预定的条件下该特定的薄膜的表面与负载物之间由有粘性和浸润性转换为无粘性和浸润性，其中预定的条件为预定的温度、压力和持续时间或者采用UV光照；

S2：将所述有机薄膜上的电极通过加热和加压方式或者UV光照方式转移负载到无机薄膜基片上，所述无机薄膜基片是指经流延制作的薄膜基片，其中流延的材质是包括质量百分比分别为35%~50%的氧化铝、45%~60%的硼硅玻璃和1%~5%的杂质的混合物、锰锌铁氧体或者镍锌铁氧体；加热和加压方式的方式为采用温度为60~85℃、压力为1~5MPa、持续时间为30~60s进行加压，UV光照方式为采用范围为300~800mJ/cm²的UV光进行光照；

S3：重复步骤S1、S2，形成多个负载有电极的所述无机薄膜基片；

S4：将多个负载有电极的所述无机薄膜基片经叠层工艺制成生坯，再对所述生坯进行烧结，制得电子元件。

2.根据权利要求1所述的电子元件的制造方法，其特征在于，其中制作电极的导电浆料采用体积电阻率为0.016~0.025mm*ohm的银浆或铜浆。

3.根据权利要求1所述的电子元件的制造方法，其特征在于，其中杂质为钙或者钠元素的含氧化合物。

4.根据权利要求1所述的电子元件的制造方法，其特征在于，步骤S2中在将所述有机薄膜上的电极通过转移负载到无机薄膜基片上之前将带有电极的所述有机薄膜通过对位标识与无机薄膜基片进行对位叠合，其中对位叠合的偏位量≤10μm。

5.一种电子元件，其特征在于，采用权利要求1至4任一项所述的电子元件的制造方法制作而成。