[发明专利]一种电子元件及其制造方法

说明书

本发明公开了一种电子元件及其制造方法，其中该制造方法包括：S1：在有机薄膜上制作电极；S2：将所述有机薄膜上的电极通过转移负载到无机薄膜基片上；S3：重复步骤S1、S2，形成多个负载有电极的所述无机薄膜基片；S4：将多个负载有电极的所述无机薄膜基片经叠层工艺制成生坯，再对所述生坯进行烧结。本发明实现了精细电极的制作要求，且其成本相对于薄膜工艺大幅降低，使用范围相比薄膜工艺更广。

技术领域

本发明涉及一种电子元件及其制造方法。

背景技术

随着智能手机的迅速发展，要求叠层片式器件进一步小型化、薄型化、低成本，外观尺寸小型化的同时又要保证器件的性能，这就要求内部的电极结构更加的精细完整。传统的黄光工艺应对基材的平整性、致密性要求高，很难实现线径及线间距15μm以下的电极制作，而采用薄膜工艺虽然能实现精细电极的制作但对瓷体材料有特殊的要求，且成本高。

以上背景技术内容的公开仅用于辅助理解本发明的构思及技术方案，其并不必然属于本专利申请的现有技术，在没有明确的证据表明上述内容在本专利申请的申请日已经公开的情况下，上述背景技术不应当用于评价本申请的新颖性和创造性。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明提出了一种电子元件及其制造方法，实现了精细电极的制作要求，且其成本相对于薄膜工艺大幅降低，使用范围相比薄膜工艺更广。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

本发明公开了一种电子元件的制造方法，包括以下步骤：

S1：在有机薄膜上制作电极；

S2：将所述有机薄膜上的电极通过转移负载到无机薄膜基片上；

S3：重复步骤S1、S2，形成多个负载有电极的所述无机薄膜基片；

S4：将多个负载有电极的所述无机薄膜基片经叠层工艺制成生坯，再对所述生坯进行烧结，制得电子元件。

优选地，步骤S1中的有机薄膜采用能够在预定的条件下其表面与负载物之间由有粘性和浸润性转换为无粘性和浸润性的薄膜，其中预定的条件为预定的温度、压力和持续时间或者采用UV光照。

优选地，其中预定的温度、压力和持续时间分别为：60～100℃、0.5～8MPa、10～60s；UV光照的范围为：100～1000mJ/cm²。

优选地，步骤S1中具体为：采用黄光光刻的工艺在有机薄膜上制作电极，电极的线宽及线间距小于或等于15μm，且电极的宽高比在0.5～1.0之间。

优选地，其中制作电极的导电浆料采用体积电阻率为0.016～0.025mm*ohm的银浆或铜浆。

优选地，所述无机薄膜基片是指经流延制作的薄膜基片，其中流延的材质是包括质量百分比分别为35％～50％的氧化铝、45％～60％的硼硅玻璃和1％～5％的杂质的混合物、锰锌铁氧体或者镍锌铁氧体。

优选地，其中杂质为钙或者钠元素的含氧化合物。

优选地，步骤S2中具体包括：将所述有机薄膜上的电极通过加热和加压方式或者UV光照方式转移负载到无机薄膜基片上，其中加热和加压方式的方式为采用温度为60～85℃、压力为1～5MPa、持续时间为30～60s进行加压，UV光照方式为采用范围为300～800mJ/cm²的UV光进行光照。

优选地，步骤S2中在将所述有机薄膜上的电极通过转移负载到无机薄膜基片上之前将带有电极的所述有机薄膜通过对位标识与无机薄膜基片进行对位叠合，其中对位叠合的偏位量≤10μm。

本发明还公开了一种电子元件，采用上述的电子元件的制造方法制作而成。