[发明专利]电子封装件及其制法在审
| 申请号： | 201711391764.8 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109904122A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 王伯豪;杨志仁;郑有志;郑子企;林长甫 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台湾台中*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子封装件 研磨 间隔部 区块 制法 填充 应力缓冲区 承载结构 封装层 相分离 包覆 底胶 破裂 | ||
1.一种电子封装件，其特征在于，该电子封装件包括：
承载结构；
第一电子元件与第二电子元件，其间隔设置于该承载结构上，以令该第一电子元件与该第二电子元件之间形成有一间隙；
填充材，其形成于该承载结构与该第一电子元件之间及该承载结构与该第二电子元件之间，且令该填充材于该间隙中形成有间隔部，其中，该间隔部包含有相分离的第一区块与第二区块，且该第一区块对应邻近该第一电子元件，而该第二区块对应邻近该第二电子元件；以及
封装层，其形成于该承载结构上，以包覆该第一电子元件与第二电子元件，且令该第一电子元件与第二电子元件的上表面外露出该封装层。
2.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该承载结构电性连接该第一电子元件及第二电子元件。
3.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第一电子元件与该第二电子元件为相同或不同类型。
4.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第一电子元件包含有封装材、结合该封装材的控制芯片及高频宽记忆体型芯片。
5.根据权利要求4所述的电子封装件，其特征在于，该封装材与封装层的材质为不相同。
6.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第二电子元件为特殊应用集成电路型半导体芯片。
7.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第一区块的厚度不同于该第二区块的厚度。
8.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第一区块与该第二区块的至少一者的厚度大于或等于30微米。
9.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第一电子元件与该第二电子元件的上表面齐平该封装层的上表面。
10.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该封装层还形成于该间隙中及该第一区块与该第二区块之间。
11.一种电子封装件的制法，其特征在于，该制法包括：
将第一电子元件与第二电子元件间隔设置于承载结构上，使该第一电子元件与该第二电子元件之间形成有一间隙；
形成填充材于该承载结构与该第一电子元件之间及该承载结构与该第二电子元件之间，且令该填充材于该间隙中形成有间隔部，其中，该间隔部包含有相分离的第一区块与第二区块，且该第一区块对应邻近该第一电子元件，而该第二区块对应邻近该第二电子元件；以及
形成封装层于该承载结构上，以包覆该第一电子元件与第二电子元件，且令该第一电子元件与第二电子元件的上表面外露出该封装层。
12.根据权利要求11所述的电子封装件的制法，其特征在于，该承载结构电性连接该第一电子元件及第二电子元件。
13.根据权利要求11所述的电子封装件的制法，其特征在于，该第一电子元件与该第二电子元件为相同或不同类型。
14.根据权利要求11所述的电子封装件的制法，其特征在于，该第一电子元件包含有封装材、结合该封装材的控制芯片及高频宽记忆体型芯片。
15.根据权利要求14所述的电子封装件的制法，其特征在于，该封装材与封装层的材质为不相同。
16.根据权利要求11所述的电子封装件的制法，其特征在于，该第二电子元件为特殊应用集成电路型半导体芯片。
17.根据权利要求11所述的电子封装件的制法，其特征在于，该第一区块的厚度不同于该第二区块的厚度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽品精密工业股份有限公司，未经矽品精密工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711391764.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：形成半导体器件的方法
- 下一篇：一种具有水气密封功能的半导体模块及其制造方法
