[发明专利]非易失性存储器装置的软擦除方法

权利要求书

1.一种包括三维存储器单元阵列的非易失性存储器装置的软擦除方法，所述三维存储器单元阵列包括多个存储器单元串，每个存储器单元串包括垂直堆叠在硅基底上的串选择晶体管、多个存储器单元和地选择晶体管，每个存储器单元串分别连接到位线和共源极线，所述方法包括：

执行多个编程循环来将第一存储器单元编程为第一编程状态，第一编程状态是第一存储器单元的N个编程状态之一，并且第一存储器单元包括在连接到选择的第一位线的选择的存储器单元串中且连接到选择的字线；

所述多个编程循环中的至少一个编程循环包括：

在第一区间期间，通过将第一预脉冲施加到连接到选择的第一位线的一个或多个未选择的存储器单元串和连接到未选择的第二位线的多个未选择的存储器单元串中的每一个存储器单元串的串选择晶体管的栅极，而对第二存储器单元执行软擦除操作，第二存储器单元包括在连接到未选择的第二位线的选择的存储器单元串中且连接到选择的字线；

在第二区间期间，通过将选择电压施加到连接到选择的第一位线的选择的存储器单元串的串选择晶体管的栅极和连接到未选择的第二位线的选择的存储器单元串的串选择晶体管的栅极，来对第一存储器单元执行验证操作。

2.根据权利要求1所述的软擦除方法，还包括：对连接到未选择的第二位线的多个存储器单元串中的每一个存储器单元串的通道进行升压。

3.根据权利要求2所述的软擦除方法，其中，对连接到未选择的第二位线的多个存储器单元串中的每一个存储器单元串的通道进行升压的步骤包括：对包括第二存储器单元的多个存储器单元执行预脉冲编程操作。

4.根据权利要求3所述的软擦除方法，其中，第二存储器单元被预先确定为处于具有比第一存储器单元的第一编程状态的阈值电压电平高的阈值电压电平的第二编程状态。

5.根据权利要求1所述的软擦除方法，其中，包括在每个存储器单元阵列中的多个存储器单元是多层单元，

第N编程状态是第一编程状态，

第二存储器单元被预先确定为根据第二编程状态或更高编程状态而被编程。

6.根据权利要求1所述的软擦除方法，其中，施加第一预脉冲的步骤还包括：在第一区间中，将读取通过电压施加到多个未选择的字线。

7.根据权利要求1所述的软擦除方法，其中，第二区间在时间上比第一区间晚。

8.根据权利要求1所述的软擦除方法，其中，执行软擦除操作的步骤还包括：在第一区间中，将第二预脉冲施加到连接到选择的第一位线的选择的存储器单元串的串选择晶体管的栅极和连接到未选择的第二位线的选择的存储器单元串的串选择晶体管的栅极，以减少针对第二存储器单元的热载流子注入。

9.根据权利要求8所述的软擦除方法，其中，第二预脉冲具有比第一预脉冲的电压电平低的电压电平和/或具有比第一预脉冲的脉冲宽度窄的脉冲宽度。

10.一种包括三维存储器单元阵列的非易失性存储器装置的软擦除方法，包括：执行包括第N编程循环的多个编程循环以对包括在连接到至少一个选择的位线的选择的串中且连接到选择的字线的多个选择的存储器单元进行编程，其中，N是1或者大于1的自然数，

其中，第N编程循环包括：

将编程电压施加到所述多个选择的存储器单元；

基于编程电压电平，控制用于消除连接到选择的位线的多个未选择的串的多个升压电荷的预脉冲操作；

执行针对所述多个选择的存储器单元的验证操作，

其中，控制预脉冲操作的步骤包括：当编程电压电平为参考电压电平或更低的电压电平时，确定执行预脉冲操作。

11.根据权利要求10所述的软擦除方法，其中，执行预脉冲操作的步骤包括：

将预脉冲施加到连接到选择的位线的多个未选择的存储器单元串中的每个存储器单元串的串选择晶体管的栅极。