[发明专利]非易失性存储器装置的软擦除方法

说明书

一种非易失性存储器装置的软擦除方法。所述方法包括：当执行多个编程循环以将第一存储器单元编程到第N编程状态时，在至少一个编程循环中将编程电压施加到被包括在连接到选择的第一位线的选择的存储器单元串中并连接到选择的字线的第一存储器单元；在第一验证间隔中，通过将用于验证第一存储器单元的编程状态的读取电压施加到选择的字线以及将第一预脉冲施加到连接到第一位线的多个未选择的存储器单元串和连接到未选择的第二位线的多个未选择的存储器单元串中的每一个未选择的存储器单元串的串选择晶体管的栅极，来对第二存储器单元进行软擦除。

本申请要求于2017年2月2日提交到韩国知识产权局的第10-2017-0015134号韩国专利申请的权益，所述韩国专利申请的公开通过引用全部合并于此。

技术领域

本发明构思涉及一种非易失性存储器装置，更具体地，涉及包括三维存储器阵列的非易失性存储器装置的软擦除方法和编程方法。

背景技术

存储器装置用于存储数据并且被分类成易失性存储器装置和非易失性存储器装置。非易失性存储器装置可用于移动电话、数码相机、便携式数字助理(PDA)、可移动计算机装置、固定型计算机装置和其他装置中。

发明内容

本发明构思提供用于改善针对非易失性存储器装置的数据编程和数据读取操作性能的非易失性存储器装置的软擦除方法和编程方法。根据本发明构思的一方面，公开了一种包括三维存储器单元阵列的非易失性存储器装置的软擦除方法。所述三维存储器单元阵列包括多个存储器单元串，每个存储器单元串包括垂直堆叠在硅基底上的串选择晶体管、多个存储器单元和地选择晶体管。每个存储器单元串分别连接到位线和共源极线。所述方法包括：执行多个编程循环来将第一存储器单元编程为第一编程状态，第一编程状态是第一存储器单元的N个编程状态之一，并且第一存储器单元包括在连接到选择的位线的选择的存储器单元串中且连接到选择的字线；在第一验证区间期间，通过将第一预脉冲施加到连接到选择的位线的一个或多个未选择的存储器单元串中的每一个的串选择晶体管的栅极，而对一个或多个第二存储器单元执行软擦除操作，所述一个或多个第二存储器单元包括在所述连接到选择的位线的一个或多个未选择的存储器单元串中且连接到选择的字线；在第二验证区间期间，通过将选择电压施加到选择的存储器单元串的串选择晶体管的栅极来，对第一存储器单元执行验证操作，其中，第二验证区间在时间上比第一验证区间晚。

根据本发明构思的另一方面，公开了一种包括三维存储器单元阵列的非易失性存储器装置的软擦除方法。三维存储器单元阵列包括多个存储器单元串，每个存储器单元串包括垂直堆叠在硅基底上的串选择晶体管、多个存储器单元晶体管和地选择晶体管，每一个存储器单元串分别连接到位线和共源极线。所述方法包括：执行多个编程循环来将第一存储器单元编程为第一编程状态，第一编程状态是第一存储器单元的N个编程状态之一，并且第一存储器单元包括在连接到选择的位线的选择的存储器单元串中且连接到选择的字线；在第一验证区间期间，通过将第一预脉冲施加到连接到选择的位线的一个或多个未选择的存储器单元串中的每一个的串选择晶体管的栅极，而对一个或多个第二存储器单元执行软擦除操作，所述一个或多个第二存储器单元包括在所述连接到选择的位线的一个或多个未选择的存储器单元串中且连接到选择的字线；在第二验证区间期间，通过将选择电压施加到选择的存储器单元串的串选择晶体管的栅极来，对第一存储器单元执行验证操作，其中，第二验证区间在时间上比第一验证区间晚，第一预脉冲的电压电平比第二预脉冲的电压电平高。