[发明专利]NOR闪存及其制作方法

权利要求书

1.一种NOR闪存，包括存储单元，其特征在于，所述存储单元包括层叠的栅极结构，所述栅极结构从下到上依次包括外延层、隧穿氧化层、浮栅、层间介质层、控制栅，所述浮栅和隧穿氧化层之间的界面形成浮栅边角，所述浮栅边角为圆滑形貌。

2.如权利要求1所述的NOR闪存，其特征在于，所述存储单元还包括形成在外延层的源极和漏极，所述源极和所述漏极分别位于所述栅极结构的各个侧面。

3.一种NOR闪存的制作方法，其特征在于，包括在晶圆上形成存储单元的浮栅和控制栅的步骤，还包括以下步骤：

S100，完成晶圆源极自对准刻蚀和离子注入的步骤；

S200，对晶圆进行第一次快速热处理，使存储单元的浮栅边缘形成一层二氧化硅薄膜的步骤；

S300，通过湿法刻蚀工艺去除浮栅边缘的二氧化硅薄膜的步骤；

S400，对晶圆进行第二次快速热处理，使存储单元的浮栅边角的形貌由尖锐变得圆滑，形成圆滑形貌的浮栅边角的步骤。

4.如权利要求3所述的NOR闪存的制作方法，其特征在于，形成在晶圆上存储单元的步骤，包括形成层叠的栅极结构的步骤，以及在所述栅极结构各个侧面的外延层形成源极和漏极的步骤。

5.如权利要求4所述的NOR闪存的制作方法，其特征在于，形成层叠的栅极结构的步骤，包括依次在衬底之上形成外延层、隧穿氧化层、浮栅、层间介质层和控制栅的步骤。

6.如权利要求5所述的NOR闪存的制作方法，其特征在于，形成在晶圆上存储单元的步骤，还包括对栅极结构的两侧进行侧壁生长的步骤。

7.如权利要求3所述的NOR闪存的制作方法，其特征在于，第一次快速热处理和第二次快速热处理的温度范围均在800-980℃之间。

8.如权利要求3所述的NOR闪存的制作方法，其特征在于，第一次快速热处理和第二次快速热处理输入氧气浓度范围均为5-30sccm。

9.如权利要求3所述的NOR闪存的制作方法，其特征在于，第一次快速热处理的时间为1-2min。

10.如权利要求3所述的NOR闪存的制作方法，其特征在于，第二次快速热处理的时间为2-3min。