[发明专利]去除斜边凸起的方法有效
| 申请号： | 201711394075.2 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108132580B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 何大权;魏芳;朱骏;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 去除 斜边 凸起 方法 | ||
1.一种去除斜边凸起的方法，其特征在于，包括：
输入初始目标图形；
选择长度小于第一预设值的短边，所述短边与坐标轴平行或垂直；
选择与短边相邻的边为斜边，所述斜边与所述短边成135°；
收缩所述斜边，形成目标多边形，且所述目标多边形与所述短边共边；
选择与所述目标多边形接触的边为扩展边，所述扩展边延伸并向内扩展第二预设值形成覆盖区域；
将所述目标多边形与所述覆盖区域进行非逻辑运算，形成移除图形；
将所述初始目标图形与所述移除图形进行非逻辑运算，得到处理后的图形。
2.如权利要求1所述的去除斜边凸起的方法，其特征在于，将所述初始目标图形与所述移除图形进行非逻辑运算后还包括：进行内部距离运算，形成移除多边形；去除所述移除多边形。
3.如权利要求1所述的去除斜边凸起的方法，其特征在于，所述第二预设值小于所述第一预设值。
4.如权利要求1所述的去除斜边凸起的方法，其特征在于，所述第一预设值为2nm～6nm。
5.如权利要求1所述的去除斜边凸起的方法，其特征在于，所述第二预设值为2nm～6nm。
6.如权利要求1所述的去除斜边凸起的方法，其特征在于，所述斜边与坐标轴成45°角。
7.如权利要求1所述的去除斜边凸起的方法，其特征在于，收缩所述斜边的步骤为：所述斜边沿上下左右四个方向向初始目标图形内部进行收缩，形成多边形。
8.如权利要求1所述的去除斜边凸起的方法，其特征在于，所述目标多边形为菱形。
9.如权利要求1所述的去除斜边凸起的方法，其特征在于，所述扩展边位于所述目标多边形外部，并与所述短边成135°。
10.如权利要求1所述的去除斜边凸起的方法，其特征在于，所述扩展边延伸的长度为所述斜边的长度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711394075.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
