[发明专利]去除斜边凸起的方法有效
申请号: | 201711394075.2 | 申请日: | 2017-12-21 |
公开(公告)号: | CN108132580B | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 何大权;魏芳;朱骏;张旭升 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 去除 斜边 凸起 方法 | ||
本发明提供的去除斜边凸起的方法,包括:输入初始目标图形;选择长度小于第一预设值的短边,所述短边与坐标轴平行或垂直;选择与短边相邻的边为斜边,所述斜边与所述短边成135°;收缩所述斜边,形成目标多边形,且所述目标多边形与所述短边共边;选择与所述目标多边形接触的边为扩展边,所述扩展边延伸并向内扩展第二预设值形成覆盖区域;将所述目标多边形与所述覆盖去除进行非逻辑运算,形成移除图形;将所述初始目标图形与所述移除图形进行非逻辑运算,得到处理后的图形。本发明中,在OPC之前对初始目标图形进行预处理,去除斜边上的凸起,能够减少斜边上凸起对OPC结果的影响,提高OPC结果的一致性。
技术领域
本发明涉及半导体光刻技术领域,尤其涉及一种去除斜边凸起的方法。
背景技术
集成电路出版光学邻近效应修正(Optical Proximity Correction,,,OPC)过程中,版图结果的一致性一直是难点之一,相同或相近的目标图形经过大面积完整版图OPC处理后,经常出现OPC结果差异,导致这些差异的原因很多,图形边上的凸起(Jog)是其中一个重要的因素。
在记忆体集成电路产品中,重复性单元占据了版图大部分区域。这些重复性单元具有一样的设计图形,设计者希望通过掩模板在硅片上得到一样的图形结果。受到版图解析度等因素的影响,在产品出版处理过程中,重复性单元可能产生细微的差异,比如图形边的凸起,这些微小差异对OPC处理产生更多的影响,因为它改变了图形边的分段结果,并影响最终的OPC结果。为了避免这些凸起对OPC结果的影响,有必要在进行基于模型的OPC处理前进行预处理,减少图形边凸起对OPC结果的影响。
传统的OPC处理流程中,利用图形填充或者图形去除来消除图形中的小凸起,图1a为初始目标图形,存在一个小凸起,利用Mentor公司的DRC工具首先找到符合条件的小凸起Jog,如图1b所示,Jog与其邻边JA之间成90度角,根据Jog与相邻图形边的距离关系形成包含两条边的最小矩形JR,如图1c所示,初始目标图形去除多边型JR得到新的目标图形,结果如图1d。
当45度斜边上存在图形凸起(Jog),利用传统的方法不能去除图形凸起,导致OPC处理中存在修正异常可能性,或者导致OPC后版图一致性变差。为了减少斜边上图形凸起对OPC结果的影响,有必要在OPC修正前去除图形凸起,提高OPC结果的准确性与一致性。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种去除斜边凸起的方法,减少斜边上凸起对OPC结果的影响,提高OPC结果的一致性。
为了实现上述目的,本发明一种去除斜边凸起的方法,包括:
输入初始目标图形;
选择长度小于第一预设值的短边,所述短边与坐标轴平行或垂直;
选择与短边相邻的边为斜边,所述斜边与所述短边成135°;
收缩所述斜边,形成目标多边形,且所述目标多边形与所述短边共边;
选择与所述目标多边形接触的边为扩展边,所述扩展边延伸并向内扩展第二预设值形成覆盖区域;
将所述目标多边形与所述覆盖去除进行非逻辑运算,形成移除图形;
将所述初始目标图形与所述移除图形进行非逻辑运算,得到处理后的图形。
进一步的,将所述初始目标图形与所述移除图形进行非逻辑运算后还包括:进行内部距离运算,形成移除多边形;去除所述移除多边形。
进一步的,所述第二预设值小于所述第一预设值。
进一步的,所述第一预设值为2nm~6nm。
进一步的,所述第二预设值为2nm~6nm。
进一步的,所述斜边与坐标轴成45°角。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711394075.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备