[发明专利]双极晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：

提供P型衬底，在所述P型衬底上形成N型埋层，在所述N型埋层上形成N型外延，通过光刻及刻蚀形成贯穿所述N型外延及所述N型埋层并延伸至所述P型衬底中的隔离沟槽，在所述隔离沟槽中形成填充物；

形成贯穿所述N型外延层并延伸至所述N型埋层中的N阱，在所述N型外延层、所述隔离沟槽及所述N阱上形成氧化层，所述氧化层包括贯穿的所述氧化层且对应所述N型外延层的开口；

在所述氧化层及所述开口处的N型外延层上形成第一多晶硅层；

在所述第一多晶硅层上形成第一氧化硅层，在所述第一氧化硅层上形成光刻胶；

利用所述光刻胶对所述第一多晶硅层及所述第一氧化硅层进行刻蚀，从而形成位于部分所述氧化层及部分所述开口处的N型外延层上的基区多晶硅及位于所述基区多晶硅上的第一氧化硅；

利用所述开口对所述N型外延层做基区注入及高温扩散，从而形成基区结，所述基区结包括位于所述N型外延表面的基区浅结及连接所述基区浅结并延伸至所述基区多晶硅下方的P型接触区；

在所述氧化层及所述第一氧化硅上依序形成氮化硅层、第二多晶硅层及TEOS层，对所述TEOS层进行回刻，从而去除所述第二多晶硅层上的部分TEOS层，而所述基区多晶硅及所述第一氧化硅侧壁外围的TEOS层被保留；

将去除所述部分TEOS层后表面暴露的所述第二多晶硅全部氧化成第二氧化硅；

去除所述第二氧化硅；

去除部分所述氮化硅层，使得所述基区多晶硅及第一氧化硅侧壁的氮化硅层、第二多晶硅层及TEOS结构被保留，所述基区多晶硅及第一氧化硅侧壁的氮化硅层、第二多晶硅层及TEOS结构作为隔离侧墙。

2.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法还包括以下步骤：在所述隔离侧墙之间的所述基区结上形成发射极多晶硅，在所述氧化层、所述氧化硅层、所述隔离侧墙及发射极多晶硅上形成介质隔离层。

3.如权利要求2所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法还包括以下步骤：形成贯穿所述介质隔离层及所述氧化层且对应所述N阱的第一接触孔、贯穿所述介质隔离层及所述氧化硅层且对应所述基区多晶硅的第二接触孔、以及贯穿所述介质隔离层且对应所述发射极多晶硅的第三接触孔。

4.如权利要求3所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法还包括以下步骤：

形成通过所述第三接触孔连接所述发射极多晶硅的发射极、通过所述第二接触孔连接所述基区多晶硅的基极及通过所述第三接触孔连接所述N阱的集电极。

5.如权利要求4所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述第一、第二及第三接触孔在同一道光刻及刻蚀步骤中形成，所述基极、发射极及集电极在同一道光刻及刻蚀步骤中形成。

6.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述氮化硅层的厚度为500埃。

7.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述第二多晶硅层的厚度在100埃至200埃的范围内。

8.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述TEOS的厚度为3000埃。

9.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述去除所述第二氧化硅的步骤包括：采用湿法去除所述第二氧化硅。

10.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：去除部分所述氮化硅层的步骤包括：采用湿法去除部分所述氮化硅层。