[发明专利]双极晶体管的制作方法

说明书

本发明涉及一种双极晶体管的制作方法。所述制作方法在形成发射极多晶硅与基极多晶硅之间的隔离侧墙时，包括以下步骤：在所述氧化层及所述第一氧化硅上依序形成氮化硅层、第二多晶硅层及TEOS层，对所述TEOS层进行回刻，从而去除所述第二多晶硅层上的部分TEOS层，而所述基区多晶硅及所述第一氧化硅侧壁外围的TEOS层被保留；将去除所述部分TEOS层后表面暴露的所述第二多晶硅全部氧化成第二氧化硅；去除所述第二氧化硅；去除部分所述氮化硅层，使得所述基区多晶硅及第一氧化硅侧壁的氮化硅层、第二多晶硅层及TEOS结构被保留，所述基区多晶硅及第一氧化硅侧壁的氮化硅层、第二多晶硅层及TEOS结构作为隔离侧墙。

【技术领域】

本发明涉及半导体制造工艺技术领域，特别地，涉及一种双极晶体管的制作方法。

【背景技术】

起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管，即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。双极晶体管中，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大。单双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。

在现有双极晶体管的制作过程中，制作基极多晶硅与发射极多晶硅之间的隔离侧墙主要包括以下步骤：

淀积一层500埃的氮化硅；

继续淀积一层3000埃的LP TEOS；

进行TEOS回刻，所有位于平面的TEOS均会被刻蚀掉，侧壁的TEOS会保留下来；

采用湿法工艺，将表面的氮化硅腐蚀掉，最终形成侧壁隔离形貌。

然而，上述隔离侧墙制作过程中，最关键的问题在于，TEOS刻蚀时，对氮化硅的选择比不够高，通常为保证TEOS刻蚀干净，要加15％左右的过刻蚀，此过刻蚀已经足以将下方的氮化硅刻蚀掉，这就不可避免的会损伤到后续的发射极表面，器件的放大系数(β)会极其不稳定，影响器件的可靠性。

【发明内容】

本发明的其中一个目的在于为解决上述至少一个技术问题而提供一种双极晶体管的制作方法。

一种双极晶体管的制作方法，其包括以下步骤：

提供P型衬底，在所述P型衬底上形成N型埋层，在所述N型埋层上形成N型外延，通过光刻及刻蚀形成贯穿所述N型外延及所述N型埋层并延伸至所述P型衬底中的隔离沟槽，在所述隔离沟槽中形成填充物；

形成贯穿所述N型外延层并延伸至所述N型埋层中的N阱，在所述N型外延层、所述隔离沟槽及所述N阱上形成氧化层，所述氧化层包括贯穿的所述氧化层且对应所述N型外延层的开口；

在所述氧化层及所述开口处的N型外延层上形成第一多晶硅层；

在所述第一多晶硅层上形成第一氧化硅层，在所述第一氧化硅层上形成光刻胶；

利用所述光刻胶对所述第一多晶硅层及所述第一氧化硅层进行刻蚀，从而形成位于部分所述氧化层及部分所述开口处的N型外延层上的基区多晶硅及位于所述基区多晶硅上的第一氧化硅；

利用所述开口对所述N型外延层做基区注入及高温扩散，从而形成基区结，所述基区结包括位于所述N型外延表面的基区浅结及连接所述基区浅结并延伸至所述基区多晶硅下方的P型接触区；

在所述氧化层及所述第一氧化硅上依序形成氮化硅层、第二多晶硅层及TEOS层，对所述TEOS层进行回刻，从而去除所述第二多晶硅层上的部分TEOS层，而所述基区多晶硅及所述第一氧化硅侧壁外围的TEOS层被保留；