[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

可挠性基板；

半导体层，位于所述可挠性基板上，其中所述半导体层的材质包括多晶硅材料；

第一栅极，位于所述可挠性基板上且对应于所述半导体层的部分区域；

第一栅介电层，位于所述第一栅极与所述半导体层之间，所述第一栅介电层与所述半导体层接触，且所述第一栅介电层的氢原子浓度小于6.5×10²⁰原子数/立方厘米，其中所述半导体层位于所述可挠性基板与所述第一栅极之间，且所述薄膜晶体管的可挠曲半径最小为1厘米；以及

第二栅极，其中所述半导体层位于所述第一栅极与所述第二栅极之间。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管还包括第二栅介电层，位于所述第一栅极以及所述第一栅介电层之间，且所述第二栅介电层的氢原子浓度大于6.5×10²⁰原子数/立方厘米。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第一栅介电层的材质包括硅的氧化物、硅的氮化物或上述的组合。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括：分别耦接于所述半导体层相对两端的源极以及漏极。

5.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：

在可挠性基板形成第二栅极；

在所述可挠性基板上形成半导体层，其中所述半导体层的材质包括多晶硅材料，所述第二栅极在形成所述半导体层之前形成，所述半导体层形成在所述第二栅极上；

在所述半导体层上形成第一栅介电层，所述第一栅介电层与所述半导体层接触，且所述第一栅介电层的氢原子浓度小于6.5×10²⁰原子数/立方厘米；以及

在所述第一栅介电层上形成对应于所述半导体层的部分区域的第一栅极，且所述薄膜晶体管的可挠曲半径最小为1厘米。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管的制造方法，还包括：

在形成所述第一栅极之前，在所述第一栅介电层上形成第二栅介电层，其氢原子浓度大于6.5 ×10²⁰原子数/立方厘米，且所述第一栅极形成于所述第二栅介电层上。

7.如权利要求5所述的薄膜晶体管的制造方法，其中所述第一栅介电层的形成方法包括等离子体增强化学气相沉积法，其惰性气体流量与总制作工艺气体流量的比值为0.5至0.7。

8.如权利要求5所述的薄膜晶体管的制造方法，还包括：形成分别耦接于所述半导体层相对两端的源极以及漏极。

9.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：

在可挠性基板上形成半导体层，其中所述半导体层的材质包括多晶硅材料；

在所述半导体层上形成第一栅介电层，所述第一栅介电层与所述半导体层接触，且所述第一栅介电层的氢原子浓度小于6.5×10²⁰原子数/立方厘米，其中所述第一栅介电层的形成速率为2.5至3.5 Å/sec；以及

在所述第一栅介电层上形成对应于所述半导体层的部分区域的第一栅极，且所述薄膜晶体管的可挠曲半径最小为1厘米。