[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

说明书

本发明公开一种薄膜晶体管及其制造方法，其中薄膜晶体管包括可挠性基板、半导体层、第一栅极以及第一栅介电层。半导体层位于可挠性基板上。第一栅极位于可挠性基板上且对应于半导体层的部分区域。第一栅介电层位于第一栅极与半导体层之间。第一栅介电层与半导体层接触，且第一栅介电层的氢原子浓度小于6.5×10²⁰原子数/立方厘米。

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。

背景技术

随着电子技术的高度发展，电子产品不断推陈出新。电子产品为了可应用于不同领域，可挠曲、轻薄以及外型不受限的特性逐渐受到重视。

就目前市面上已公开贩售的可挠式电子产品而言，其大多为具有固定曲率的弯曲式(bendable)产品。为了达到折叠式(foldable)产品的目标，小挠曲半径的可挠式电子产品是未来的大挑战。因此，如何使具有小挠曲半径的可挠式电子产品仍具有良好的制造良率(yield)及产品可靠度(reliability)，实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

本发明的一实施例提供一种薄膜晶体管，其栅介电层的氢原子浓度小于6.5×10²⁰原子数/立方厘米而可以提升薄膜晶体管的可靠度。

本发明的一实施例提供一种薄膜晶体管的制造方法，其栅介电层的氢原子浓度小于6.5×10²⁰原子数/立方厘米而可以提升薄膜晶体管的可靠度。

本发明一实施例的薄膜晶体管，其包括可挠性基板、半导体层、第一栅极以及第一栅介电层。半导体层位于可挠性基板上。第一栅极位于可挠性基板上且对应于半导体层的部分区域。第一栅介电层位于第一栅极与半导体层之间。第一栅介电层与半导体层接触，且第一栅介电层的氢原子浓度小于6.5×10²⁰原子数/立方厘米。

本发明一实施例的薄膜晶体管的制造方法，其包括以下步骤。在可挠性基板上形成半导体层。在半导体层上形成第一栅介电层，第一栅介电层与半导体层接触，且第一栅介电层的氢原子浓度小于6.5×10²⁰原子数/立方厘米。在第一栅介电层上形成对应于半导体层的部分区域的第一栅极。

为让本发明更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1E为本发明的第一实施例的一种薄膜晶体管的制造方法的剖面示意图；

图2为本发明的第二实施例的一种薄膜晶体管的剖面示意图；

图3A至图3B为本发明的第三实施例的一种薄膜晶体管的制造方法的剖面示意图；

图4为本发明的第四实施例的一种薄膜晶体管的剖面示意图；

图5A至图5E为本发明的第五实施例的一种薄膜晶体管的制造方法的剖面示意图；

图6为本发明的第六实施例的一种薄膜晶体管的剖面示意图；

图7为本发明的第七实施例的一种薄膜晶体管的剖面示意图；

图8为本发明的第八实施例的一种薄膜晶体管的剖面示意图；

图9为本发明的比较例的薄膜晶体管的输出特性曲线图；

图10为本发明的测试例的薄膜晶体管的输出特性曲线图。

符号说明

100、200、300、400、500、600、700、800：薄膜晶体管

110：可挠性基板

120：缓冲层

130、530：半导体层

130a、530a：源极区